|
Sputter Deposition¿¡ ´ëÇÑ ±ÛÀÔ´Ï´Ù. sputter / 1.3. Interactions on the target surface °¡¼ÓµÈ ¾çÀÌ¿ÂÀÌ °íüǥ¸é¿¡ Ãæµ¹Çϸé Áß¼º¿øÀÚ ¹èÃâ, ÈĹæ»ê¶õ, X¼± ¹æÃâ, ±¤ÀÚ ¹ß»ý, ÀÌÂ÷ ÀüÀÚ ¹æÃâ, ±×¸®°í target Ç¥¸é¿¡¼ ±âü¿øÀÚÀÇ Å»Âø µîÀÌ ¹ß»ýÇϸç, target¿¡¼´Â ºñÁ¤ÁúÈ, ÀÌ¿ÂħÅõ, ÈÇÕ¹° Çü¼º, cascade ¹ß»ý, ±¹ºÎÀû °¡¿, Á¡°áÇÔÀÌ »ý¼ºµÈ´Ù. ÇöóÁ¸¦ À¯ÁöÇϴµ¥ °¡Àå Áß¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
20p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|
¡¥ silicon nitride Nitride Deposition Contact holes S D G Contact Etch Ion Implantation resist ox D G Scanning ionbeam S Metal Deposition and Etch drain S D G M |
|
°øÇбâ¼ú  | 
18p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥°üÇÑ Á¶»ç 2. È¼Ò Á¦ÀÛ ±â¼ú 3. Vacuum Deposition 4. AM ¼ÒÀÚ¿Í PM ¼ÒÀÚÀÇ ºñ±³ 5. Organic TFT EL Display OLEDÀÇ ÃÖ±Ù µ¿Çâ / EL DisplayÀÇ ±¸Á¶¿¡ µû¸¥ ºÐ·ù • ºÐ»êÇü : ¹ß±¤ÃþÀÌ Çü±¤Ã¼·Î¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
36p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥NIO ½Ã·áÁ¦ÀÛÀåºñ ½Ã·áÁ¦ÀÛ Deposition RF magnetron sputtering Target : Cu O, Substrate : Si, SiO , Pt, Gas : Ar 2 Working pressure : 9.8E-4torr Deposition temperature : R.T. , |
|
°øÇбâ¼ú  | 
48p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥Æùý ¿ºÐÇعý (CVD:Chemical Vapour Deposition) À̿±³È¯¹ý ¹«ÀüÇصµ±Ý¹ý ¹°¸®ÀûÄÚÆùýÁø°øÁõÂø¹ý (PVD : Physical Vapour Deposition)ÀÌ¿Â ½ºÆÄÅ͸µ¹ý (Ion Sputtering) À¯¸®Ç¥¸éÀÇ Coating±â¼úÀº ¸Å¿ì ´Ù¾çÇϳª ÇöÀç »ç¿ëÁßÀÎ Á¦Á¶°ø¹ýÀ¸·Î´Â ¿ºÐÇعý°ú ÀÌ¿Â ½ºÆÄÅ͸µ °ø¹ýÀ¸·Î Å©°Ô ±¸º°µÈ´Ù. 1) ¿ºÐÇعý(Pyroytic Coating) Hard CoatingÀ¸·Î Åë¿ëµÇ°í ÀÖÀ¸¸ç ÆÇÀ¯¸® Á¦Á¶ °ú¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
11p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥ion) °øÁ¤À» Àϸí OVD(Outside Vapor Deposition) °øÁ¤À̶ó°íµµ ÇÏ¸ç ¹ö³Ê·Î °¡¿µÈ ȸÀüÇÏ´Â È濬ºÀ¿¡ À¯¸®Á¶¼º¿ëÀÇ ÈÇÐÁõ±â¸¦ Èê·ÁÁÖ¾î SiO2ÃþÀ» ¿ÜºÎ¿¡¼ºÎÅÍ ÁõÂø½ÃÄÑÁÖ´Â ¹æ¹ýÀÌ´Ù. Àû´çÇÏ°Ô À¯¸®Á¶¼ºÁõ±âÀÇ ºñÀ²À» Á¶ÀýÇÔÀ¸·Î½á Àû´çÇÑ ±¼Àý·ü ºÐÆ÷»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ¿øÇÏ´Â ±¤¼¶À¯ ÄÚ¾î¿Í Ŭ·¡µùÀÇ Å©±â¸¦ °®´Â ¸ðÀ縦 Á¦ÀÛÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¨è VAD (ÃàÁõÂø) ÀÌ ¹æ¹ýÀº ¹ö³Ê È¿° ¼Ó¿¡¼¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
11p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
ÀÚµ¿Â÷ °øÇÐ - 3Â÷¿ø Çü»ó; 3D ÇÁ¸°ÅÍÀÇ Á¾·ù¿Í Ư¡ ¹× È°¿ë / ÀÚµ¿Â÷ °øÇÐ - 3Â÷¿ø Çü»ó; 3D ÇÁ¸°ÅÍÀÇ Á¾·ù¿Í Ư¡ ¹× È°¿ë 3D_printerÀÇ Á¾·ù¿Í Ư¡ 1. FDM(Fused Deposition Modeling) ¹æ½Ä FFF¹æ½ÄÀ̶ó°íµµ ÇÏ¸ç °íü Çʶó¸àÆ® ÇüÅÂÀÇ Çöó½ºÆ½ Àç·á¸¦ °í¿ÂÀÇ Çìµå¿¡¼ °¡¿ÇÏ¿© ³ëÁñÀ» ÅëÇÏ¿© ¾ÐÃà½ÃŲ ÈÄ ÇÑ Ãþ¾¿ ÀûÃþÇÏ¿© ½×¾Æ ¿Ã¸®´Â ¹æ½ÄÀÌ´Ù. ¼¼°è ½ÃÀå Á¡À¯À² 1À§ÀÌ¸ç ³ôÀº¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
5p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
ÁõÂø°á°ú º¸°í¼ / 1.½ÇÇè ¹æ¹ý ¨ç ¸ðµç ¹ëºê°¡ Àá°ÜÀÖ´ÂÁö È®ÀÎÇÑ´Ù. ¨èÁõÂø½ÃÅ°·Á´Â ¼Ò½º¸¦ öÆÇ À§¿¡ ÀÛÀº ½Ã¾à ½ºÇ¬À¸·Î ÇÑ ½ºÇ¬ ¿Ã·Á³õ´Â´Ù. ¨é ¼ÅÅ͸¦ ´ÝÀº »óÅ¿¡¼ ½½¶óÀ̵带 ³¢¿î´Ù. ¨ê Rotary Pump Switch¸¦ ONÀ¸·Î ÇÑ´Ù. ¨ë Rough Valve¸¦ Ç®¾îÁØ´Ù. ¨ì Áø°øÀÇ Á¤µµ¸¦ ±îÁö (Tube ¾ÈÀÌ ¹«»öÀÌ µÉ ¶§) È®ÀÎÇÑ´Ù. ¨í Rough Valve¸¦ Àá±×°í, Foreline Valve¸¦ ¿¬ ÈÄ, Diffusion¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
4p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
ȯ¿ø½ÇÇè / (2) C-O °è ¹ÝÀÀ °í·Î ³»¿¡¼ ÈÇйÝÀÀÀ» ÀÌÇØÇÏ·Á¸é ¸ÕÀú C-O°£ÀÇ ¹ÝÀÀÀ» ¾Ë ÇÊ¿ä°¡ ÀÖ´Ù. C´Â °úÀ× ÀÇ O2¿Í ¹ÝÀÀÇϸé, C+O2=CO2+97.0kcal------------ ½Ä1 ¿Í °°ÀÌ ¿¬¼ÒÇÏ¿© ¸¹Àº ¿À» ¹ß»ýÇÑ´Ù. °í·ÎÀÇ Ç³±¸ ¾Õ¿¡¼´Â ÀÌ ¹ÝÀÀÀÌ ¸ÕÀú ÀϾÙ. ´ÙÀ½¿¡ ÀÌ CO2´Â °úÀ×ÀÇ C¿Í ¹ÝÀÀÇÏ¿© CO°¡ µÇ¸é¼ ±Þ¿ ÇÑ´Ù. CO2+C=2CO-38.2kcal -----------½Ä2 Áï, dz±¸¿¡¼ µé¾î°£ O¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
16p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¹Ú¸·ÀÇ ¼ºÁúÀ» Çâ»ó½ÃÅ°±â À§ÇÑ ¹°¸®ÁõÂø°úÁ¤ÁßÀÇ ÇϳªÀÎ PAPVD °ø¹ý¿¡ ´ëÇؼ ¾Ë¾Æº¸¾Ò½À´Ï´Ù. ion-platingÁ¦Ãâ¿ë / Plasma-assisted physical vapour deposition (PAPVD) Àº ¹Ú¸·ÀÇ ¼ºÁúÀ» Çâ»ó½ÃÅ°±â À§ÇÏ¿© glow discharge¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ´Â ¹°¸®ÁõÂø°úÁ¤ÀÇ ÃÑĪÀ̶ó ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. Mattox´Â ÀÌ°ÍÀ» ion-plating À̶ó ¸í¸íÇÏ°í, ¡®ÁõÂøÀüÀ̳ª ÁõÂø°úÁ¤Áß¿¡ °í¿¡³ÊÁöÀÇ ÀÌ¿ÂÀ¸·Î Çü¼ºµÇ´Â À¯¼Ó¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
9p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|