SiO2 °Ë»ö°á°ú
103 °Ç (1/10 ÂÊ)
»ó¼¼Á¶°Ç 
 
ÆÄÀÏÁ¾·ù 
|
[ÈÇаøÇÐ ½ÇÇè] Sol-Gel¹ý¿¡ ÀÇÇÑ SiO2 Gel Á¦Á¶ / [ÈÇаøÇÐ ½ÇÇè] Sol-Gel¹ý¿¡ ÀÇÇÑ SiO2 Gel Á¦Á¶ Contents 1. Abstract 2.Introduction 2. Experimental 2.1 ½ÇÇè ±â±¸ ¹× ½Ã¾à 2.1.1 ½ÇÇè ±â±¸ 2.1.2 ½ÇÇè ½Ã¾à 2.2 ½ÇÇè ¹æ¹ý 3. Result & Discussion 3.1 Result 3.1.1 Raw data 3.1.2 Result 3.2 Discussion 4.conclussion 5.Reference List of Table Table 1. ¹°¸® ¡¦ |
|
|
|
|
|
SOL-GEL¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇÑ sio2 ¹× tioÁ¦Á¶ °á°ú¿¡ ´ëÇÑ ±ÛÀÔ´Ï´Ù. SOL-GEL¹ýÀ»ÀÌ¿ëÇÑSiO2¹×TiO2Á¦Á¶°á°ú / ¡á Åä ÀÇ ¡Ü SiO2¿Í TiO2 Á¦Á¶ ½ÇÇèÀ» À§ÇØ hot plate°¡ µÎ °³°¡ ÇÊ¿äÇߴµ¥ µÑ ´Ù Á¦ ±â´ÉÀ» ¹ßÈÖÇÏÁö ¸øÇؼ ½ÇÇè½Ã°£ÀÌ ¸¹ÀÌ ÁöüµÇ¾ú´Ù. Çϳª´Â °¡¿±â´ÉÀÌ °íÀ峪°í Çϳª´Â ±³¹Ý±â´ÉÀÌ °íÀ峪¼ ±³¹Ý±â´ÉÀº ¼öµ¿À¸·Î ÄÁÆ®·ÑÇÏ¿´Áö¸¸ °¡¿±â´ÉÀº ´Þ¸® ¹æµµ°¡ ¾ø¾î¼ ´Ù¸¥ Á¶ ½ÇÇèÀÌ¡¦ |
|
|
|
|
|
½Ç¸®Ä«(SiO2)ÀÇ »óÀüÀÌ¿¡ ´ëÇÑ ½ÇÇ躸°í¼ÀÔ´Ï´Ù. ½Ç¸®Ä«ÀÇ»óÀüÀÌ / ¡Ü ½ÇÇè ¸ñÀû ½Ç¸®Ä«(Silica)´Â Áö°¢ ¼ººÐÀÇ 52.12%¸¦ Â÷ÁöÇÏ°í ¼¼¶ó¹Í½º ¿ø·á¿Í Á¦Ç°ÀÇ ´ëºÎºÐÀº ±Ô»ê¿°(Slicate)À¸·Î ±¸¼ºµÇ¾îÀÖÀ¸¸ç ¹«±âÀç·áÀÇ ÁÖ¼ººÐÀÌ µÇ´Â ¿ø·áÀÌ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ ½Ç¸®Ä«(SiO2)ÀÇ ¿Âµµ¿¡ µû¶ó µ¿Áú ´Ù»óÀÌ»óÀ» ³ªÅ¸³½´Ù. ½ÇÇèÀ» ÅëÇÏ¿© °¡¿Á¶°Ç(½Ã°£, ¿Âµµ, ¼Óµµ)µû¸¥ ½Ç¸®Ä«(SiO2)ÀÇ »óº¯Å Çö»óÀ»¡¦ |
|
|
|
|
|
ȼº¾ÏÀÇ ºÐ·ù / 1. ȼº¾ÏÀÇ Á¤¸® 2. »ö¿¡ µû¸¥ ºÐ·ù 3. SiO2ÇÔ·®¿¡ µû¸¥ ºÐ·ù 4. »ý¼º ±íÀÌ¿¡ µû¸¥ ºÐ·ù 5. ½ò·¹¾ÆÀÌÆ®Áú ¸¶±×¸¶¿Í Įũ¾ËÄ®¸®Áú ¸¶±×¸¶ / 1. ȼº¾ÏÀÇ Á¤¸® ȼº¾Ï(igneous rock)Àº ¸¶±×¸¶°¡ ±»¾î ¸¸µé¾îÁø ¾Ï¼®ÀÌ´Ù. ¸¶±×¸¶´Â ÀÓÀÇÀÇ ¾Ï¼®ÀÌ ³ì¾Æ ¸¸µé¾îÁø °ÍÀ¸·Î ¸¶±×¸¶°¡ ÁöÇ¥·Î ºÐÃâµÉ ¶§ À̸¦ ¿ë¾ÏÀ̶ó°í ÇÑ´Ù. ȼº¾ÏÀº ÀÌ·¸°Ô ¸¶±×¸¶°¡ ±»¾î ¸¸µé¾îÁø ¾Ï¼®¡¦ |
|
|
|
|
|
[°øÇÐ,±â¼ú] ¹ÝµµÃ¼°øÁ¤ ½ÇÇè - Dry etching / ½ÇÇè: Dry etching 1. ½ÇÇè ¸ñÀû MOS CAPÀ» Á¦ÀÛÇÏ´Â ÀüüÀÇ °øÁ¤¿¡¼ ¡®Photolithography °øÁ¤À» ½Ç½ÃÇÑ ÈÄ Si±âÆÇÀ» ÇöóÁ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ½Ä°¢ÇÏ´Â °øÁ¤ÀÎ ¡®Dry etchingÀ» ½Ç½ÃÇϸç FE-SEMÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© SiO2 inspectionÀ» ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. À̹ø ½ÇÇè¿¡¼ Àü¿øÀÇ ¼¼±â¸¦ 300¿ÍÆ®·Î ¿¡Äª ½Ã°£À» 3min, 5min, 7minÀ¸·Î º¯È¸¦ ÁÖ¾î ¿¡Äª ½Ã°£À» Á¶¡¦ |
|
|
|
|
|
¡¥¼Ò µîÀÇ »êȼº °¡½º¿¡ ³ëÃâ½ÃÅ°¸é,SiÇ¥¸éÀÌ »êȵǾî SiO2 ¸·ÀÌ Çü¼ºµÈ´Ù. SiO2 ¸·ÀÇ Áú°ú µÎ²²¸¦ Á¦¾îÇϱâ À§Çؼ´Â »êȱⱸ¸¦ ¾Ë¾Æ¾ßÇÑ´Ù. »ê¼ÒºÐÀÚ(O2)µîÀÇ »êÈ Á¾ÀÌ ¿ì¼± SiO2¸· Ç¥¸é¿¡ ÈíÂøÇÑ ÈÄ, SiO2¸· ÁßÀ»È®»ê¿¡ÀÇÇØ Åë°úÇÏ¿© Si ¿Í SiO2ÀÇ °è¸é¿¡ µµ´ÞÇÏ¸é ±×°÷¿¡¼ Si¿Í¹ÝÀÀ(»êÈ)ÇÏ¿© SiO2 °¡ Çü¼ºµÈ´Ù. ´Ù½Ã ¸»ÇØ SiO2 ³»¿¡¼ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ È®»êµµ´Â O2 ÀÇ È®»êµµº¸´Ù ¸Å¿ì¡¦ |
|
|
|
|
|
A+¸¦ ¹ÞÀº ÈÇнÇÇè °á°ú ·¹Æ÷Æ® ÀÔ´Ï´Ù. ÄðÇÑ Ä·ÆÛ½º »ýÈ° µÅ¼ËÀ¸¸é ÇÕ´Ï´Ù ^^ [ÈÇнÇÇè]¸¶±×¸ð·¡ / 1. principle & theory 2. result 3.discussion / 1. principle & theory ¸ð·¡(SiO2)¿Í ¸¶±×³×½· ºÐ¸»À» ½ÃÇè°ü ¼Ó¿¡ ³Ö°í °¡¿ÇÑ´Ù. ÀÌ ¹ÝÀÀÀº ¿À» ¸¹ÀÌ ¹æÃâÇÏ´Â ¹ß¿¹ÝÀÀÀÇ °á°ú·Î ¹à°Ô ºû³ª´Â È¥ÇÕ¹°Àº »êȸ¶±×³×½· °¡·ç¸¦ »ý¼ºÇÏ°í, ½ÃÇè°üÀº ±Ô¼Ò °Å¿ï·Î µ¤ÀÌ°Ô µÈ´Ù. ¸¶¡¦ |
|
|
|
|
|
¡¥È¼º¾ÏÀ» ±¸¼ºÇÏ´Â ¼ººÐÀº ¿©·¯ ¼ººÐÀÌ ÀÖÀ¸¸ç, ÀÌ Áß SiO2 ¼ººÐÀÌ 45-75% Á¤µµ·Î °¡Àå ¸¹´Ù. µû¶ó¼ ȼº¾ÏÀº SiO2 ¼ººÐÀÇ ÇÔ·®¿¡ µû¶ó ¿°±â¼º¾Ï(45-52%), Áß¼º¾Ï(52-66%) ¹× »ê¼º¾Ï(66%ÀÌ»ó)À¸·Î ±¸ºÐÇÑ´Ù. ¿À·¡ ÀüºÎÅÍ ÈÇÐ Á¶¼º¸é¿¡¼ SiO2 ¹üÀ§°¡ ³ÐÀº ´Ù¾çÇÑ È¼º¾ÏÀÌ Áö°¢¿¡ ºÐÆ÷ÇÏ´Â °Í¿¡ ´ëÇؼ ¸¹Àº °ü½ÉÀ» °¡Á®¿Ô´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ Çö»óÀ» ¼³¸íÇÏ´Â µ¥´Â ¿©·¯ °¡Áö °¡´É¼ºÀÌ ÀÖ´Ù. ¡¦ |
|
|
|
|
|
¡¥ºÀÀ̳ª tubeÀÇ Ç¥¸é¿¡ Àû´çÈ÷ Èê·ÁÁÖ¾î Åõ¸íÇÑ ¿©·¯ SiO2ÃþÀ» ÁõÂø½ÃÅ°°í, ¿©±â¿¡ GeO2, B2O3 ¹× P2O3¿Í °°Àº ¼Ò·®ÀÇ ºÒ¼ø¹°À» ÷°¡ÇÏ¿© ÀûÀýÇÑ ±¼Àý·ü ºÐÆ÷¿Í Å©±â¸¦ °®´Â ¸ðÀ縦 ¸¸µå´Â ¹æ¹ýÀÌ´Ù. ¨ç OVPO (³»ºÎÁõÂø) OVPO(Outside Vapor Phase Oxidation) °øÁ¤À» Àϸí OVD(Outside Vapor Deposition) °øÁ¤À̶ó°íµµ ÇÏ¸ç ¹ö³Ê·Î °¡¿µÈ ȸÀüÇÏ´Â È濬ºÀ¿¡ À¯¸®Á¶¼º¿ëÀÇ ÈÇÐÁõ±â¸¦ ¡¦ |
|
|
|
|
|
[»çȸ°úÇÐ] È¥ÈÀç¿Í È¥ÈÁ¦ÀÇ °³³äÁ¤¸® - ¹Ì¸®º¸±â¸¦ Âü°í ¹Ù¶ø´Ï´Ù. / È¥ÈÀç·áÀÇ Á¤ÀÇ È¥ÈÀç·á´Â ÄÜÅ©¸®Æ®³ª ¸ð¸£Å¸¸£ÀÇ È¥Çսà ÇÊ¿ä¿¡ µû¶ó ÷°¡ÇÏ´Â ¹°, ½Ã¸àÆ®, °ñÀç ¹× ¼¶À¯º¸°Àç ÀÌ¿ÜÀÇ Àç·á·Î ÄÜÅ©¸®Æ®³ª ¸ð¸£Å¸¸£ÀÇ ÀÛ¾÷¼º, °æÁ¦¼º, ¿¡³ÊÁö Àý¾à µî°ú °°Àº Á¦¼ºÁúÀ» °³¼±¡¤Çâ»ó½Ãų ¸ñÀûÀ¸·Î »ç¿ëµÇ´Â Àç·áÀÌ´Ù. È¥ÈÀç·á´Â ±âÁ¸ÀÇ ½Ã¸àÆ®, ¹°, °ñÀ縸À¸·Î´Â Ç°ÁúÀÌ ÁÁÀº ÄÜ¡¦ |
|
|
|
|