‥가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO)을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화 막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체(insulator)로 전류와 도핑물질(dopant)의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질의 SiO 박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 2. 이론배경 - 산화막(Oxi…
[공학,기술] 반도체공정 실험 - Dry etching / 실험: Dry etching 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을 3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조…
‥ 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질 의 SiO₂박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 이론 : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation) Si기판을 고온(1000℃ 전후)하에서 산소 등의 산화성 가스에 노출시키면,Si표면이 산화되어 SiO2 막이 형성된다. SiO2 막의 질과 두께를 제어하기 위해서는 산화기구를 알아야한다. 산소분자…
‥형 기판에 의해 분리되어 있다. 기판 위에 매우 얇은 SiO2막(절연막)이 형성되며, 그 위에 게이트로 작용하는 금속이 증착된다. 게이트, 드레인, 소스 및 기판에는 전극용으로 오믹 접촉이 형성된다. 게이트가 FET의 기판으로부터 절연되어 있기 때문에, 절연 게이트 FET(IGFET - Insulated Gate FET)라고도 한다. 게이트와 기판은 SiO2 절연막에 의해 분리된 커패시터의 전극판 역할을…
‥ 한다. 이 알갱이들이 바로 실리카겔이다. 실리카겔은 SiO2·nH2O의 화학식을 가지며 작은 구멍들이 서로 연결되어 튼튼한 그물 조직을 이루고 그 사이에 용매인 물 등이 들어가 굳어버린 비결정형의 입자이다. 표면적이 매우 넓어 물이나 알코올 등을 흡수하는 능력이 매우 뛰어나다. 또 인체에 무해하기 때문에 제습제로 많이 사용되는 물질이다. 꽃을 말릴 때에도 실리카겔을 이용하…
[공학] 포토리소그래피 실험 / 1. 포토리소그래피(Photolithography) ⅰ) 포토리소그래피(Photolithography)란 Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변하는 월리를 이용하여, 얻고자 하는 patten의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask patten과 동일한 patten을 형성시키는 공정이다. Photolith…
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