Si wafer KOH etching(실리콘 웨이퍼 에칭) / 1. 실험 제목 칼륨 수산화(KOH) 용액을 이용한 실리콘 웨이퍼의 에칭 특성 분석 2. 실험 목적 본 실험의 주된 목적은 칼륨 수산화(KOH) 용액을 사용하여 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 과정을 이해하고, 에칭 매개 변수가 실리콘의 미세 구조에 미치는 영향을 조사하는 것이다. 이 실험을 통해 우리는 다음과 같은 구체적인 목표를 달성하고자…
화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제 / Wafer cleaning Types and sources of contamination Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.…
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