[공학,기술] 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) / 실험: Annealing(Silcidation) 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃, 8…
[반도체공정실험]Cleaning , Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation) / 1. 실험 목적 2. 실험 방법 3. 실험 결과 4. 토의 사항 II.Photolithography / 1. 실험 목적 2. 실험 이론 및 원리 3. 실험 방법 4. 실험 결과 5. 토의 사항 III.Dry etching
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