[공학,기술] 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)

실험: Annealing(Silcidation)

1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지
알아본다.

2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec

700 ℃
800 ℃
나. 실험 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다. 실험 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.(증착된 두께는 모두 같아야 한다.)
2) Wafer를 급속 열처리 장치(RTP)를 이용하여 600℃ , 700℃, 800℃의 온도에서
40초간 열처리한다.
3) 어닐링을 마친 3개의 시편을 Four Point Probe를 이용하여 면저항을 측정한다.

3. 결과 및 고찰
표 1 실험 결과

1회
2회
3회
평균
600℃
184.4
186.5
183.3
184.73
700℃
192.1
202.8
190.9
1…(생략)