|
[ÀÚ¿¬°úÇÐ] [ÀüÀÚȸ·Î½ÇÇè] NMOS ÁõÆø±â °á°ú / ½ÇÇè.NMOS ÁõÆø±â 1.Orcad °á°ú `°øÅë - ¼Ò½º ÁõÆø±â` 1) ÀÔ·Â ¹× Ãâ·Â Àü¾Ð ÆÄÇü -ȸ·Î- -ÆÄÇü- 2) ÀÔ·Â ÀúÇ× ÃøÁ¤ -ȸ·Î- -ÆÄÇü- 3) Ãâ·Â ÀúÇ× ÃøÁ¤ -ȸ·Î- -ÆÄÇü- `°øÅë - °ÔÀÌÆ® ÁõÆø±â` 1) ÀÔ·Â ¹× Ãâ·Â Àü¾Ð ÆÄÇü -ȸ·Î- -ÆÄÇü- 2) ÀÔ·Â ÀúÇ× ÃøÁ¤ -ȸ·Î- -ÆÄÇü- 3) Ãâ·Â ÀúÇ× ÃøÁ¤ -ȸ·Î- -ÆÄÇü- `°øÅë - µå·¹ÀÎ ÁõÆø±â` 1) ÀÔ¡¦ |
|
|
|
|
|
11. CMOS inverter¿Í NMOS inverterÀÇ power consumption / IT½Ã½ºÅÛ¼³°è °úÁ¦ #11 11. CMOS inverter¿Í NMOS inverterÀÇ Power consumptionºñ±³Çϱâ 1. °úÁ¦ ¸ñÇ¥ 1) CMOS inverter¿Í NMOS inverterȸ·Î¸¦ ±¸¼ºÇغ¸°í power consumptionÀ» ºñ±³Çغ¸ÀÚ. 2. °úÁ¦ ³»¿ë 1. CMOS inverterȸ·Î ±¸¼ºÇϱâ 2. °úÁ¦ ³»¿ë 2. NMOS inverterȸ·Î ±¸¼ºÇϱâ 2. °úÁ¦ ³»¿ë 3. Power cons¡¦ |
|
|
|
|
|
PMOS, NMOS, CMOSÀÇ ±¸¼ºÀÇ ±¸¼º¿¡ °üÇÏ¿© »çÁø°ú ÀÌ·Ð. / ¸ñÂ÷ 1)PMOS 2)CMOS º»¹®³»¿ë °¡)NMOS¶õ N ä³Î Æ®·£Áö½ºÅÍ·Î ±¸¼ºµÇ°í, PÇü ±âÆÇÀ» »ç¿ëÇϸç Àü·ù Åë·Î¸¦ È帣´Â ij¸®¾î°¡ ÀüÀÚÀÎ ¹ÝµµÃ¼. ¼Óµµ´Â ºü¸£Áö¸¸ Àü·Â ¼Ò¸ð°¡ Å©´Ù. »êȸ·¿¡ ÀÇÇØ Àü·ù Åë·Î·ÎºÎÅÍ Àý¿¬µÈ °ÔÀÌÆ® Àü±Ø¿¡ Àü¾ÐÀ» Àΰ¡ÇÏ¿©, ¼Ò½º Àü±Ø°ú µå·¹ÀÎ Àü±Ø °£¿¡ Àü·ù Åë·Î¸¦ Á¦¾îÇÔÀ¸·Î½á µ¿ÀÛÇÏ´Â Æ®·£Áö¡¦ |
|
|
|
|
|
11. CMOS inverter¿Í NMOS inverterÀÇ power consumption / 1. °úÁ¦ ¸ñÇ¥ 2. °úÁ¦ ³»¿ë 1) CMOS inverterȸ·Î ±¸¼ºÇϱâ 2) NMOS inverterȸ·Î ±¸¼ºÇϱâ 3) Power consumption µé¿©´Ùº¸±â 4) ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç °á°ú(1) 5) ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç °á°ú(2) / 1. °úÁ¦ ¸ñÇ¥ °úÁ¦ ¸ñÇ¥´Â CMOS ÀιöÅÍ¿Í NMOS ÀιöÅÍÀÇ Àü·Â ¼Ò¸ð Ư¼ºÀ» ºñ±³ÇÏ°í ºÐ¼®ÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù. µðÁöÅРȸ·Î ¼³°è¿¡¼ ÀιöÅÍ´Â ±âº»ÀûÀΡ¦ |
|
|
|
|
|
T-CAD¸¦ È°¿ëÇÑ NMOS ¼³°è / 1. ¼³°è ¸ñÀû ¹× ³»¿ë 2. ¼³°è º¯¼ö 3. ¼³°è °úÁ¤ 4. °á·Ð ¹× ºñ±³ / 1. ¼³°è ¸ñÀû ¹× ³»¿ë T-CAD¸¦ È°¿ëÇÑ NMOS ¼³°èÀÇ ¸ñÀûÀº °í¼º´É ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ °³¹ß°ú ÃÖÀûȸ¦ ÅëÇØ ´Ù¾çÇÑ ÀüÀÚ ±â±â¿¡ ÀÀ¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Â NMOS Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Æ¯¼ºÀ» ºÐ¼®ÇÏ°í °³¼±ÇÏ´Â µ¥ ÀÖ´Ù. NMOS´Â ÀüÀÚ È¸·ÎÀÇ ±âº»ÀûÀÎ ±¸¼º ¿ä¼Ò·Î ³Î¸® »ç¿ëµÇ¸ç, ƯÈ÷ CMOS ±â¼úÀÇ ÇÙ½É ¼Ò¡¦ |
|
|
|
|
|
T-CAD¸¦ È°¿ëÇÑ NMOS¼³°è (¹ÝµµÃ¼¼ÒÀÚ) / 1. ¸ñÀû ¹× ¸ñÇ¥ 2. ¼³°è¹æ¹ý 3. ¼³°è°á°ú 4. ±âÁ¸°á°ú¿Í ºñ±³ 5. °á·Ð / 1. ¸ñÀû ¹× ¸ñÇ¥ T-CAD¸¦ È°¿ëÇÑ NMOS ¼³°èÀÇ ¸ñÀûÀº ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ ¼³°è ¹× ¼º´É ºÐ¼®À» ÅëÇØ È¿À²ÀûÀÌ°í °æÀï·Â ÀÖ´Â NMOS Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ °³¹ßÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù. NMOS Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ´Ù¾çÇÑ ÀüÀÚ±â±â¿¡¼ ÇÙ½ÉÀûÀÎ ¿ªÇÒÀ» Çϸç, ȸ·Î ¼³°è¿¡¼ ºÒ°¡°áÇÑ ¿ä¼Ò·Î ÀÚ¸® À⡦ |
|
|
|
|
|
T-CAD¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ NMOSÀÇ Æ¯¼ºÇâ»ó / 1. ¼³°è ¸ñÀû 2. ¼³°è ¹æ¹ý 3. ¼³°è °á°ú 4. ±âÁ¸ °á°ú¿ÍÀÇ ºñ±³ 5. °á·Ð / 1. ¼³°è ¸ñÀû T-CAD¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ NMOSÀÇ Æ¯¼º Çâ»ó¿¡ ´ëÇÑ ¼³°è ¸ñÀûÀº ´ÙÀ½°ú °°´Ù. Çö´ëÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ´Â °í¼º´É, ÀúÀü·Â ¹× ¼ÒÇü Ư¼ºÀ» ¿ä±¸¹Þ°í ÀÖÀ¸¸ç, ÀÌ´Â NMOSÀÇ ¼º´É Çâ»ó°ú ¹ÐÁ¢ÇÑ ¿¬°üÀÌ ÀÖ´Ù. NMOS´Â ÀüÀÚ À̵¿µµ°¡ ³ô°í ¹ÐÁýµÈ ÀüÇÏ ¿î¹ÝüÀÇ È帧À¸·Î ÀÎÇØ¡¦ |
|
|
|
|
|
¹ÝµµÃ¼°øÁ¤¼³°è silvaco TCAD NMOS¼³°è ¹× º¯¼ö¿¡ µû¸¥ ÃÖÀûÈ(ÄÚµùÆ÷ÇÔ, A£«º¸°í¼) / 1. ¼·Ð 2. º»·Ð 2.1. ±âÁ¸¼ÒÀÚÀÇ °øÁ¤º¯¼ö ¹× Ư¼º 2.2.1. ä³Î±æÀÌ¿¡ µû¸¥ µå·¹ÀÎ Àü·ù ¹× ¹®ÅÎÀü¾Ð º¯È 2.2.2. High doping¾ç¿¡ µû¸¥ µå·¹ÀÎ Àü·ùº¯È 2.2.3. °ÔÀÌÆ® »êȸ· µÎ²²¿¡ µû¸¥ µå·¹ÀÎ Àü·ù ¹× ¹®ÅÎÀü¾ÐÀÇ º¯È 2.2.4. Low doping ¾ç¿¡ µû¸¥ µå·¹ÀÎ Àü·ùÀÇ ¾ç 2.2.5. È®»ê½Ã°£¡¦ |
|
|
|
|
|
1. °á°ú MOSFET, Áï ±Ý¼Ó »êȹ° ¹ÝµµÃ¼ Àü°è È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ÀüÀÚ±â±â¿¡¼ Áß¿äÇÑ ¼ÒÀÚÀÌ´Ù. NMOS¿Í PMOS´Â ÀÌ·¯ÇÑ MOSFET.. / 1. °á°ú 2. °íÂû 3. ½ÇÇ賯¥ 4. ½ÇÇèÁ¦¸ñ 5. ¿¹ºñÀÌ·Ð 6. Ãâó / 1. °á°ú MOSFET, Áï ±Ý¼Ó »êȹ° ¹ÝµµÃ¼ Àü°è È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â ÀüÀÚ±â±â¿¡¼ Áß¿äÇÑ ¼ÒÀÚÀÌ´Ù. NMOS¿Í PMOS´Â ÀÌ·¯ÇÑ MOSFETÀÇ µÎ °¡Áö ÁÖ¿ä À¯ÇüÀ¸·Î, °¢°¢ nÇü°ú pÇü ¹ÝµµÃ¼¡¦ |
|
|
|
|
|
1.NMOS NMOS´Â n-Çü ±Ý¼Ó »êȸ· ¹ÝµµÃ¼·Î, ÀüÀÚ ¼ÒÀÚÀÇ ÀÏÁ¾ÀÌ´Ù. NMOS´Â Àüµµ¼º ä³Î¿¡ nÇü ¹ÝµµÃ¼°¡ »ç¿ëµÈ´Ù. NMOSÀÇ Àü±Ø.. / 1.NMOS 1) MOSFET¿¡¼ transconductanceÀÇ ÀÇ¹Ì 2) Max transconductance¸¦ ¾òÀ» ¼ö ÀÖ´Â biasing pointÀÇ ÀÇ¹Ì 3) MOSFETÀÇ transfer curve(IDS-VGS)¿Í output curve(IDS-VDS) Ư¼ºÀÇ ÀÇ¹Ì 4) ÁÖ¾îÁø ¸ñÇ¥¸¦ ´Þ¼ºÇϱâ À§ÇÑ NMOS ¼³°è°úÁ¤ 5) ½Ã¹Ä·¹¡¦ |
|
|
|
|