|
Post annealing effect of BaTiO3-based MIM capacitors for high capacitance ½ÇÇè ·¹Æ÷Æ® / 1. ½ÇÇ賯¥ 2. ½ÇÇèÁÖÁ¦ 3. ¿¹ºñÀÌ·Ð 4. Ãâó / 1. ½ÇÇ賯¥ ½ÇÇè ³¯Â¥´Â 2023³â 9¿ù 15ÀÏÀÌ´Ù. À̳¯Àº BaTiO3 ±â¹ÝÀÇ ±Ý¼Ó-Àý¿¬Ã¼-±Ý¼Ó(MIM) ijÆнÃÅÍÀÇ ÈÄó¸® È¿°ú¸¦ °üÂûÇϱâ À§ÇÑ ½ÇÇèÀÌ ÁøÇàµÇ¾ú´Ù. ¾Æħ ÀÏÂïºÎÅÍ ½ÇÇè½Ç¿¡ ¸ðÀÎ ¿¬±¸ÆÀÀº °¢ÀÚÀÇ ¿ªÇÒÀ» ºÐ´ãÇÏ¿© ü°èÀûÀ¸·Î ½Ç¡¦ |
|
·¹Æ÷Æ® >
±âŸ  | 
3p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
°À¯Àüü BaTiOÀÇ ÇÕ¼º°ú »óÀüÀÌ / 1. ½ÇÇè¸ñÀû 2. ½ÇÇèÀÌ·Ð 3. ½ÇÇè¹æ¹ý / 1. ½ÇÇè¸ñÀû BaTiO©ý(¹Ù·ýƼŸ´½»êȹ°)´Â °À¯Àüü ÀÚ·á Áß Çϳª·Î, ±× ƯÀ¯ÀÇ Àü±âÀû ¹× ±â°èÀû ¼ºÁú·Î ÀÎÇØ ´Ù¾çÇÑ ÀüÀÚ±â±â ¹× ¼¾¼, ¾×Ãß¿¡ÀÌÅÍ, ±×¸®°í ¾ÐÀüÀç·á·Î ³Î¸® »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. º» ½ÇÇèÀÇ ¸ñÀûÀº BaTiO©ýÀÇ ÇÕ¼º °úÁ¤À» ÅëÇØ ÀÌ ¹°ÁúÀÇ ±¸Á¶Àû ¹× Àü±âÀû Ư¼ºÀ» ÀÌÇØÇÏ°í, ´õ ³ª¾Æ°¡ ±× »óÀü¡¦ |
|
|
|
|
|
°À¯Àüü BaTiO3ÀÇ ÇÕ¼º°ú »óÀüÀÌ ¿¹ºñº¸°í¼ / 1. ½ÇÇèÁ¦¸ñ 2. ½ÇÇè¸ñÀû 3. ½ÇÇè¿ø¸® 4. ½ÇÇè¹æ¹ý a.BaTiO3ÀÇ ÇÕ¼º(°íü»ó ¹ÝÀÀ¹ý) b.BaTiO3ÀÇ ºÐ¼® 5. ½Ã¾àÁ¶»ç / 1. ½ÇÇèÁ¦¸ñ °À¯Àüü BaTiO3ÀÇ ÇÕ¼º°ú »óÀüÀÌ¿¡ °üÇÑ ½ÇÇèÁ¦¸ñÀº `BaTiO3ÀÇ ÇÕ¼º°ú »óÀüÀÌ Æ¯¼º ¿¬±¸`ÀÌ´Ù. ÀÌ ¿¬±¸´Â BaTiO3ÀÇ ÇÕ¼º °úÁ¤À» »ìÆ캸°í, ÀÌ·¯ÇÑ ÇÕ¼ºÀÌ »óÀüÀÌ¿¡ ¹ÌÄ¡´Â ¿µÇâÀ» Á¶»çÇÏ´Â µ¥ ¡¦ |
|
|
|
|
|
[Àç·á°øÇнÇÇè]BaTiO3 ¼¼¶ó¹Í½ºÀÇ Á¦Á¶ ¹× Àü±âÀû ¼ºÁúÀÇ ÃøÁ¤ / 1. ½ÇÇè ¸ñÀû 2. ½ÇÇè ¹æ¹ý 3. ½ÇÇè °á°ú / 1. ½ÇÇè ¸ñÀû BaTiO3 ¼¼¶ó¹Í½ºÀÇ Á¦Á¶ ¹× Àü±âÀû ¼ºÁúÀÇ ÃøÁ¤À» À§ÇÑ ½ÇÇèÀº Çö´ë ÀüÀÚÀç·á ºÐ¾ß¿¡¼ Áß¿äÇÑ ÁÖÁ¦ÀÌ´Ù. BaTiO3´Â ¹ß±¤¼ÒÀÚ, Ä¿ÆнÃÅÍ, ¾ÐÀü ±â±â µî ´Ù¾çÇÑ ÀüÀÚ ±â±â¿¡ ÇʼöÀûÀÎ ¼ÒÀç·Î ¿©°ÜÁö¸ç, ±× Àü±âÀû ¼ºÁúÀº ÀÌ·¯ÇÑ ÀÀ¿ë¿¡ Å« ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ£´Ù. º» ½Ç¡¦ |
|
|
|
|
|
[Àç·á°øÇнÇÇè]°í»ó¹ÝÀÀÀ» ÀÌ¿ëÇÑ BaTiO3(Ƽź»ê¹Ù·ý)ÀÇ Á¦Á¶ ¹× ºÐ¼® / 1. ½ÇÇè ¸ñÀû 1) ½ÇÇè ¸ñÇ¥ 2. ½ÇÇè ÀÌ·Ð ¹× ¿ø¸® 1) ¼¼¶ó¹Í½º(Ceramics) 2) BaTiO _{3}(Ƽź»ê ¹Ù·ý) Ư¡ 3) ºÐ¸» ÇÕ¼º °øÁ¤ 4) X-ray 3. ½ÇÇè ¹æ¹ý 1) ½ÇÇè . ¿ø·áºÐ¸»ÀÇ Äª·®°ú È¥ÇÕ(Ī·®, È¥ÇÕ, °ÇÁ¶) 2) ½ÇÇè 2. ¿ø·á È¥ÇÕ¹°ÀÇ ÇÏ¼Ò 3) ½ÇÇè 3. X¼± ȸÀýÀ» ÀÌ¿ëÇÑ »ó ºÐ¼® 4) ½ÇÇè 4. Ƽź»ê¡¦ |
|
|
|
|
|
[Àç·á°úÇнÇÇè]BaTiO3 °í»ó¹ÝÀÀ¹ý / 1) ½ÇÇè 1. ¿ø·á ºÐ¸»ÀÇ Äª·®°ú È¥ÇÕ (Ī·®, È¥ÇÕ, °ÇÁ¶, ºÐ¼â) 2) ½ÇÇè 2. ÇϼÒÇϱâ 3) ½ÇÇè 3. CO _{2}·®À» ÃøÁ¤ÇÑ µÚ ´Ù½Ã ºÐ¼â¿Í º¼¹Ð 4) ½ÇÇè 4. PVA ÷°¡ 5) ½ÇÇè 5. Ƽź»ê ¹Ù·ý ºÐ¸»ÀÇ ¼ºÇü 6) ½ÇÇè6. XRD ÃøÁ¤ 7) ½ÇÇè 7. Ƽź»ê ¹Ù·ýÀÇ ¼Ò°á 8) ½ÇÇè 8. Çö¹Ì°æ ÃøÁ¤, XRD ÃøÁ¤ 9) ½ÇÇè 9. ¹Ðµµ ÃøÁ¤ 10) ½ÇÇè 10. Àº¼Ò 11) ½ÇÇ衦 |
|
|
|
|
|
°À¯Àüü BaTiO3ÀÇ ÇÕ¼º°ú »óÀüÀÌ °á°úº¸°í¼ / 1. ½ÇÇèÁ¦¸ñ 2. ½ÇÇè¸ñÀû 3. °á°úºÐ¼® 4. °íÂû / 1. ½ÇÇèÁ¦¸ñ ¼Ö-Á©¹ý, °í»ó ¹ÝÀÀ¹ý µî)À» ÅëÇØ BaTiO3¸¦ ÇÕ¼ºÇÏ°í, À̸¦ XRD, SEM, TEM °°Àº ºÐ¼® ±â¹ýÀ» ÅëÇØ ¹°ÁúÀÇ ±¸Á¶Àû ¹× Àü±âÀû Ư¼ºÀ» ºÐ¼®ÇÏ°Ô µÈ´Ù. ÀÌ·¸°Ô ÇÔÀ¸·Î½á BaTiO3ÀÇ »óÀüÀÌ ¿Âµµ¸¦ ±Ô¸íÇÏ°í, ÀÌ ¿Âµµ¿¡¼ ³ªÅ¸³ª´Â Àü±âÀû ¼ºÁú º¯È¸¦ Á¤·®ÀûÀ¸·Î Æò°¡ÇÏ´Â °Í¡¦ |
|
|
|
|
|
X¼± ȸÀý¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇÑ °À¯Àüü BaTiO3ÀÇ ±¸Á¶ ºÐ¼®°ú ½ÃÂ÷ ÁÖ»ç ¿·®°è¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ »óÀüÀÌ ¿Âµµ ÃøÁ¤ (°á°ú) / 1. ½ÇÇè °á°ú ¹× ÅäÀÇ 2. °á·Ð 1) °À¯Àüü BaTiO3 ÇÕ¼º 2) XRD¸¦ ÅëÇÑ BaTiO3 ±¸Á¶ ºÐ¼® 3) DSC °á°ú ¹× ºÐ¼® 4) Ãß°¡ ³íÀÇ 3. Âü°í ¹®Çå ¹× Ãâó / 1. ½ÇÇè °á°ú ¹× ÅäÀÇ BaTiO3ÀÇ X¼± ȸÀý¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ±¸Á¶ ºÐ¼® °á°ú, °áÁ¤ ±¸Á¶ÀÇ º¯È¿Í °ü·ÃµÈ ´Ù¾çÇÑ »óÀüÀÌ ¡¦ |
|
·¹Æ÷Æ® >
±âŸ  | 
5p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
X¼± ȸÀý¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇÑ °À¯Àüü BaTiO3ÀÇ ±¸Á¶ ºÐ¼®°ú ½ÃÂ÷ ÁÖ»ç ¿·®°è¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ »óÀüÀÌ ¿Âµµ ÃøÁ¤ (¿¹ºñ) / 1. ½ÇÇè ¸ñÀû 2. ½ÇÇè ¿ø¸® 3. ÇÊ¿äÇÑ Àç·á ¹× ±â±¸ 4. ½ÇÇè ¹æ¹ý 5. Âü°í ¹®Çå ¹× Ãâó / 1. ½ÇÇè ¸ñÀû º» ½ÇÇèÀÇ ¸ñÀûÀº X¼± ȸÀý¹ý°ú ½ÃÂ÷ ÁÖ»ç ¿·®°è¸¦ ÅëÇØ ¹Ù·ý ŸÀÌŸ³×ÀÌÆ®(BaTiOÀÇ °áÁ¤±¸Á¶ ºÐ¼® ¹× »óÀüÀÌ ¿Âµµ ÃøÁ¤À» ¼öÇàÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù. BaTiO3´Â °À¯Àüü À硦 |
|
|
|
|
|
¼¼¶ó¹Í°øÁ¤-BaTiO3 °øÁ¤°³¼±¼³°è-PPT ¹ßÇ¥ÀÚ·á-½Å¼ÒÀç°øÇаú / 1. Introduction Application of BaTiO3 & Processing Goals 2. Synthesis Process About Sol-Gel method procedures 3. Particle Adjustment Particle size and Distribution / 1. Introduction ¼¼¶ó¹Í °øÁ¤Àº ´Ù¾çÇÑ »ê¾÷ ºÐ¾ß¿¡¼ Áß¿äÇÑ ¿ªÇÒÀ» ´ã´çÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ±× Áß¿¡¼µµ ¹Ù·ý ƼŸ³×ÀÌÆ®(BaTiO´Â ÀüÀڱ⡦ |
|
|
|
|