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38 °Ç (1/4 ÂÊ)
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¥°. CVB °³¿ä 1. Á¤ÀÇ 2. ÇüÅ 3. »ç¸í 4. Çʿ伺 5. ÄÁº¥¼Ç À¯Ä¡ È°µ¿ 6. Áö¿ª CVB °³³äµµ ¥±. ±¹°¡º° ÄÁº¥¼ÇÀü´ã±â±¸ ÇöȲ ¥². ÄÁº¥¼Ç¼¾ÅÍ ¿î¿µ ÇöȲ 1. ÄÁº¥¼Ç¼¾ÅÍ °Ç¸³ ÇüÅ 2. ÄÁº¥¼Ç¼¾ÅÍ °³¹ß ¹× ¿î¿µ À¯Çü 3. ÄÁº¥¼Ç¼¾ÅÍ ¿î¿µ »ç·Ê ¥³. ÇØ¿Ü CVB »ç·Ê 1. ÇØ¿Ü CVB ÇöȲ 2. ÇØ¿Ü CVB ¿î¿µ»ç·Ê ¡áLVCVA ¡áSapporo International Communication Plaza Foundation ¡áTokyo Conve¡¦
±âŸ   28page   1,700 ¿ø
CVD¿¡ °üÇÏ¿©

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CVD¿¡ °üÇÑ ÀÚ·áÀÔ´Ï´Ù. CVD¿¡°üÇÏ¿© / 1. Introduction 1) CVDÀÇ Á¤ÀÇ 2) CVDÀÇ ºÐ·ù 2. Thermodynamics and Kinetics 1) Equilibrium Thermodynamics of Reactions 2) Chemical Reaction Kinetics 3. Thermal CVD 1) ¾Ð·Â¿¡ µû¸¥ ºÐ·ù 2) Reactor ¿Âµµ¿¡ µû¸¥ ºÐ·ù 3) Reactor Shape¿¡ µû¸¥ ºÐ·ù 4. PECVD 1) PECVD ¿ø¸® 2) PECVD ÁõÂø ±â±¸ 3) PECVDÀÇ ÀåÁ¡¡¦
±âŸ   18page   2,000 ¿ø
[·¹Æ÷Æ®] ¼øȯ Àü¾Ð Àü·ù¹ý  cv

[·¹Æ÷Æ®] ¼øȯ Àü¾Ð Àü·ù¹ý cv

[·¹Æ÷Æ®] ¼øȯ Àü¾Ð Àü·ù¹ý cv / ¼øȯ Àü¾Ð Àü·ù¹ý(Cyclic Voltammetry, CV) ¼øȯ Àü¾Ð Àü·ù¹ýÀº ¸¹Àº Àü±âÈ­ÇÐ ÃøÁ¤¹ý Áß¿¡¼­, Àü±Ø Ç¥¸é ¶Ç´Â Àü±ØÇ¥¸é ±Ù¹æ¿¡¼­ ¾î¶°ÇÑ ¹ÝÀÀÀÌ ÀϾ°í Àִ°¡¸¦ °¡Àå Á÷Á¢ÀûÀ¸·Î ÆľÇÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¹æ¹ýÀÇ ÇϳªÀÌ´Ù. ±×·¯¹Ç·Î CV´Â Àü±âÈ­ÇÐÀûÀ¸·Î È°¼ºÀÎ »êȭȯ¿ø È­ÇÐÁ¾ÀÇ Àü±Ø¹ÝÀÀÀÇ "Ãʱâ Áø´Ü¹ý"À¸·Î À¯¿ëÇÏ¿©, ´Ù¸¥ Àü±â È­ÇÐÀû ÃøÁ¤¹ý°ú Á¶ÇÕ¡¦
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¡¥ ¼º¸·¹ý, ¹«Àü±Ø ¶Ç´Â ¹«Àü±â ¼º¸·¹ý, ¾ç±Ø »êÈ­¹ý, CVD¹ý , ¾×»ó ¿¡ÇÇŹ½Ã¹ý, Langmuir-Blodgett ¸· Çü¼º¹ý, ÈíÂø ¹æ¹ýÀÌ ÀÖ´Ù 1-1)À½±Ø ÀüÇØ ¼º¸·¹ý ¼º¸·µÉ ¹°ÁúÀÌ º¸Åë ±Ý¼ÓÀÏ °æ¿ì,ÀÌ ¹°ÁúÀÌ ÀÌ¿ÂÀÇ ÇüÅ·Π³ì¾Æ Àְųª,¾î¶² ¾×ü ¼Ó¿¡ ¼¯¿© ÀÖ´Â °ÍÀ» »ç¿ëÇÑ´Ù. ±× ¿ë¾×À̳ª,¾×ü ¼Ó¿¡ µÎ Àü±ØÀÎ +¿Í -¸¦ »ðÀÔÇÏ°í, Àü¾ÐÀ» °É¾î ÁÖ¸é ±Ý¼Ó¼ºÀÎ +ÀÌ¿ÂÀÌ À½±ØÀ¸·Î ²ø·Á¿À°í,ÀÌ ±Ý¼Ó¡¦
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¹Ù·ÎÅ© ½Ã´ëÀÇ ±â¾ÇÀ½¾Ç¿¡ ´ëÇØ Á¶»çÇÑ ÀÚ·áÀÔ´Ï´Ù. cvedcs / ¿ø·¡ ÀÌŸ®¾îÀÎ ¼Ò³ªÅ¸´Â ±â¾Ç°îÀ̶ó´Â ¶æÀ¸·Î ¼º¾Ç°î ĭŸŸ¿Í ´ëºñµÇ´Â ¿ë¾îÀÌ´Ù. ´Ù¼ºÀ½¾ÇÀû Ãʱâ Ä­Âɳª´Â 10°³ ÀÌ»óÀÇ ´Ü¶ôÀ¸·Î ³ª´©¾îÁ® ÀÖ¾ú°í, ÀÌ ºÎºÐµéÀº ÁÖÁ¦Àû ¿¬°üÀÌ ¾øÀÌ ´Ù¾çÇÑ ±æÀ̳ª À½¾ÇÀû ¾ç½ÄÀ» °¡Á³´Ù. À̵éÀº ÀϹÝÀûÀ¸·Î ´ëÁ¶µÇ´Â ¾ç½ÄÀ¸·Î Â¥¿©Á® ÀÖ¾ú´Âµ¥ ÁÖ·Î ±æÀ̳ª ±ä ¸ð¹æ´ëÀ§ÀûÀÎ ´Ü¶ôÀÌ ÂªÀº¡¦
±âŸ   2page   1,000 ¿ø
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ÇÁ¶û½º Ŭ¶óºê»ýÀ½¾Ç¿¡ ´ëÇØ Á¶»çÇÑ ÀÚ·áÀÔ´Ï´Ù. cveed3ess / ¼§º¸´Ï¿¡¸£·Î ½ÃÀ۵Ǵ ÇÁ¶û½º Ŭ¶óºê»ý ¾ÇÆÄ´Â ·çÀÌ ÄíÇÁ·©, ÀÚÄÉ µå ¶ó °Ô¸£, ¸£ ·ç, ´ç±Ûº£¸£¿Í °°Àº À̵éÀ» ¸Â´Â Çà¿îÀ» ´©¸®°Ô µÈ´Ù. À̵éÀº ·ùÆ® ÁÖÀÚµéÀÇ À¯»êÀ» ¹°·Á¹Þ¾Æ ÇÁ¶û½º Ŭ¶óºê»ý À½¾Ç¿¡ ºÐ¸íÇÑ Á¤Ã¼¼ºÀ» ºÎ¿©ÇÑ ¼§º¸´Ï¿¡¸£ÀÇ µÚ¸¦ ÀÌ¾î °Ç¹Ý¾Ç±âÀû ¿îµ¿¼ºÀ» º¸´Ù Æø³Ð°ÔÇÏ°í, Àå½ÄÀ½ »ç¿ëÀ» ü°èÈ­ÇÏ¿´À¸¸ç¡¦
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Sorg¿Í Nelson (1987)Àº TCM¿¡ ´ëÇÑ CVMÀÇ µÎ °¡Áö ÀåÁ¡À» ¼³¸íÇß´Ù. ù°, CVMÀº °¡»óÀûÀΠȯ°æÀÇ ¾çÀû, ÁúÀû º¯È­¿¡ ´ëÇÑ... / Sorg¿Í Nelson (1987)Àº TCM¿¡ ´ëÇÑ CVMÀÇ µÎ °¡Áö ÀåÁ¡À» ¼³¸íÇß´Ù. ù°, CVMÀº °¡»óÀûÀΠȯ°æÀÇ ¾çÀû, ÁúÀû º¯È­¿¡ ´ëÇÑ ÁöºÒÀÇ»ç±Ý¾×À» ÃøÁ¤ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¹Ý¸é¿¡ TCMÀº À̸¦ ÃøÁ¤ÇÒ ¼ö ¾ø´Ù. µÑ°, CVMÀº ÇÑ ¹æ¹®°´ÀÌ ¿©·¯ °¡Áö ¸ñÀûÀ» °¡Áö°í ¿©·¯ ÈÞ¾çÁö¡¦
±âŸ   4page   1,000 ¿ø
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±ÝÇü°ø±¸ÀÇ ³»¸¶¸ð¼º Çâ»óÀ» À§ÇÏ¿© Àû¿ëµÇ´Â PVD, CVD, TD CoatingÀÇ ¼Ò°³¿Í Àû¿ë¹æ¹ý¿¡ ´ëÇÑ ¾È³». ÁõÂø¹ýÀÇ¿ø¸®¿Í°ø¾÷ÀûÀÀ¿ë / ±ÝÇü°ø±¸¿¡ Àû¿ëµÇ´Â PVD, PCVD, CVD, TD Coating¿¡ ´ëÇÑ °£´ÜÇÑ ¼Ò°³¿Í Àû¿ë¹æ¹ý.
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¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ÀÇ ÀÌÇØ(Si base)

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¡¥ch) 5. Metallization 6. CVD 7. Ion Implantation / 1. ¹ÝµµÃ¼ Device Á¦ÀÛ °úÁ¤(Si Base) - p-type Si ±âÆÇ¿¡ »êÈ­¸·À» ¼ºÀå½ÃŲ´Ù(Furnace). ¡ØÈ­ÇÕ¹°Àº CVD°øÁ¤À» °ÅÃÄ »êÈ­¸·À» Çü¼ºÇÑ´Ù. -¡¦
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OLYMPUS Medical

OLYMPUS Medical

¡¥IDE_7_ cv70 ÇÏÀÌ¿£µå±Þ:¿Ã¸²Çª½ºCV260 ´ëÇк´¿ø°ú Á¾ÇÕº´¿ø ½ÃÀå ´ëºÎºÐ Ç®HD±Þ È­Áú ·ç¼¼¶ó½ºÆåÆ®·³ ¼¼°è ÃÖÃÊ °³¹ßÇÑ NBI(narrowband imaging: Çù´ë¿ª È­»ó °­È­ ±â¼ú) ÆæŹ½º EPK-IHD±Þ 100¸¸¡¦
±âŸ   39page   3,000 ¿ø




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