기초회로실험2 프리레포트 Lab. 7 MOSFETs

Ⅰ. Enhancement-Mode MOSFET Characteristic Curves

Enhancement-mode MOSFET 특성 곡선은 전계효과 트랜지스터의 동작을 이해하는 데 중요한 역할을 한다. MOSFET(금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터)는 전기적 신호를 증폭하거나 스위칭하는 데 많이 활용되며, 특히 증폭 모드인 enhancement-mode에서 주로 사용된다. Enhancement-mode MOSFET은 기본적으로 전압을 인가하지 않았을 때는 전류가 흐르지 않는 채널이 없는 상태로 동작한다. 이 경우, 게이트 전압이 특정 임계값 이상으로 증가하게 되면 채널이 생성되고 전류가 흐르기 시작한다. 이 MOSFET의 특성 곡선은 주로 게이트-소스 전압(Vgs)과 드레인-소스 전압(Vds)에 따른 전류(Id)의 변화를 나타낸다. 일반적으로 세 가지 주요 영역으로 나누어진다. 첫 번째는 cutoff 영역으로, 이 영역에서는 게이트 전압이 임계 전압 이하일 때 MOSFET는 비활성 상태로 전류가 흐르지 않는다. 두 번째는 선형(또는 저항) 영역으로, 여기서는 Vgs가 임계 전압(Vth)을 초과하고 Vds가 낮은 값일 때 MOSFET가 선형 저항과 같이 동작한다. 세 번째는 포화 영역으로, Vgs가 임계 전압을 초과하고 Vds가 증가하여 특정 값을…(생략)