인하대 공업화학실험Patterning and treatment of SiO2 thin film A＋ 예비보고서

1.실험목적

본 실험의 목적은 SiO2 얇은 필름의 패터닝 및 처리 과정을 통해 다양한 응용 가능성을 탐색하고, 이를 바탕으로 반도체 및 전자 소자의 제조 기술을 심화 이해하는 것이다. SiO2는 반도체 산업에서 가장 널리 사용되는 절연체 중 하나로, 고유의 전기적 및 물리적 특성 덕분에 다양한 전자 소자에서 필수적인 역할을 수행한다. SiO2 얇은 필름은 대개 미세 패터닝 기술을 통해 원하는 형태로 가공되며, 이는 나노미터 단위의 정밀한 구조를 형성하는 데에 필수적이다. 따라서 본 실험에서는 SiO2 필름의 형성과정, 패터닝 기법, 그리고 후처리 과정을 통해 정확한 구조를 구현할 수 있는 방법론을 연구한다. 특히, 본 실험에서는 포토리소그래피(photolithography)와 같은 화학적 에칭 기술을 활용하여 SiO2 필름에 패턴을 형성하는 과정을 다룬다. 포토리소그래피는 빛을 이용하여 감광제를 노출시키고, 이후 에칭 과정을 통해 원하는 구조를 만들어내는 기법이다. 이러한 기술은 반도체 제조 과정에서 필수적이며, 고도의 정밀성을 요구한다. SiO2 필름을 패터닝하는 과정에서 발생할 수 있는 여러 가지 변수를 조절함으로써, 최적의 조건을 찾아 효율적인 패…(생략)