1. Objective of experiment
Photolithography Mask PatterningÀº ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤¿¡¼ ÇÙ½ÉÀûÀÎ ¿ªÇÒÀ» ´ã´çÇÏ´Â Áß¿äÇÑ °øÁ¤ÀÌ´Ù. ÀÌ ½ÇÇèÀÇ ÁÖµÈ ¸ñÀûÀº Á¤¹ÐÇÑ ÆÐÅÏ Çü¼ºÀ» ÅëÇØ ÀÏ°üµÈ ±¸Á¶¸¦ ¹ÝµµÃ¼ ±âÆÇ¿¡ Àü»çÇÏ´Â ±â¼úÀ» ÀÍÈ÷´Â °ÍÀÌ´Ù. ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ ¼º´ÉÀº ±× ±¸Á¶ÀÇ Á¤¹Ð¼º¿¡ Å©°Ô ÀÇÁ¸Çϱ⠶§¹®¿¡, ³ôÀº ÇØ»óµµÀÇ ÆÐÅÏÀ» »ý¼ºÇÏ´Â °ÍÀÌ ÇʼöÀûÀÌ´Ù. À̸¦ ÅëÇØ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Àü±âÀû Ư¼ºÀ» ÃÖÀûÈÇÏ°í ÁýÀûµµ Çâ»óÀ» µµ¸ðÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ÀÌ ½ÇÇèÀ» ÅëÇØ ÇÊ¿äÇÑ ÀÌ·ÐÀû ¹è°æ°ú ½Ç½ÀÀ» °áÇÕÇÏ¿© photolithographyÀÇ Àü¹ÝÀûÀÎ °úÁ¤À» ÀÌÇØÇÏ´Â °ÍÀÌ Áß¿äÇÏ´Ù. ¶ÇÇÑ, ½ÇÇè½Ç ȯ°æ¿¡¼ Á¤¹ÐÇÑ Àåºñ¸¦ ´Ù·ç°í ½ÇÇè Á¶°ÇÀ» Á¦¾îÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» ¹è¿òÀ¸·Î½á, ¹Ì·¡ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú °³¹ß ¹× ÀÀ¿ë¿¡ ±â¿©ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ´É·ÂÀ» ±â¸£´Â °ÍÀÌ ¸ñÇ¥ÀÌ´Ù. ÆÐÅÏÀ» Çü¼ºÇϱâ À§ÇØ »ç¿ëµÇ´Â Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ®ÀÇ Æ¯¼º°ú ±× Çö»ó °úÁ¤¿¡¼ ¹ß»ýÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ´Ù¾çÇÑ º¯¼ö¸¦ °í·ÁÇÏ´Â °Íµµ ÇʼöÀûÀÌ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ °úÁ¤À» ÅëÇØ Á¦ÀÛµÈ ¸¶½ºÅ© ÆÐÅÏÀº ÀÌÈÄÀÇ etchingÀ̳ª deposition °úÁ¤¿¡¼ ÇʼöÀûÀÎ ¿ªÇÒÀ» Çϸç, °¢ ´Ü°èÀÇ Á¤È®¼ºÀº ÃÖÁ¾ ¼ÒÀÚÀÇ ¼º´É¿¡ Á÷Á¢ÀûÀÎ ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ£´Ù. ¶ÇÇÑ, ±¤ÇÐÀû Ư¼º ¹×¡¦(»ý·«)
|