ISSUES OF HEMTs, 반도체

1.GaAs pHEMTs

GaAs pHEMTs(주로 GaAs 기반의 편극형 고전자 이동도 트랜지스터)는 전자기기와 통신 분야에서 폭넓게 사용되는 중요한 반도체 소자다. 이 소자는 GaAs(갈륨 비소) 기판 위에 생긴 고전도성 전자층과 다양한 특성을 가진 층으로 구성되어 있어, 고속 및 고주파 응용 분야에서 뛰어난 성능을 발휘한다. GaAs pHEMT는 특히 낮은 누설 전류와 높은 전류 밀도를 제공해 전력 소자의 효율성을 극대화한다. GaAs pHEMT의 가장 큰 장점 중 하나는 높은 이동도다. GaAs는 Si(실리콘)보다 전자 이동도가 약 5배 높기 때문에, 작은 크기에서도 훨씬 빠른 스위칭 속도를 구현할 수 있다. 이로 인해 RF(고주파) 및 마이크로파 애플리케이션에 유리하다. RF 증폭기, 위성 통신 시스템, 레이더 장비 등에서 주로 활용되며, 이들 기기의 성능을 크게 향상시키는 역할을 한다. GaAs pHEMT는 주로 세 가지 주요 층으로 이루어진다. 첫 번째는 단결정 GaAs 기판으로, 이 기판 위에 두 번째 층인 비소화 갈륨(AlGaAs)을 올리는 방식이다. AlGaAs는 GaAs와 비교해 에너지 밴드갭을 조절할 수 있어, 전자와 홀의 이동 경로를 유도한다. 이렇게 형성된 고유한 구조는 전자 흐름을 조…(생략)