반도체공정 레포트 - Flash memory

1) Samsung

2) SK Hynix
3) Micron
6. 참고 문헌
1. NAND type & NOR type

플래시 메모리는 비휘발성 저장장치로, 전원이 꺼진 상태에서도 데이터를 유지할 수 있는 특징이 있다. 플래시 메모리는 크게 NAND 타입과 NOR 타입으로 나뉜다. 두 가지 유형은 구조와 작동 방식, 데이터 처리 방식에서 뚜렷한 차이를 보인다. NAND 타입은 주로 대용량 저장을 목적으로 설계된 메모리이다. 데이터가 셀에 비트를 저장하는 방식으로 이루어지며, 여러 개의 셀을 직렬로 배열해 데이터를 저장하는 구조를 가지고 있다. 이 구조는 메모리 셀들이 서로 인접해 있기 때문에 고밀도의 집적이 가능하며, 가격 대비 용량이 크다는 장점이 있다. NAND 플래시는 페이지 단위로 읽기와 쓰기가 수행되며, 여러 페이지가 모여 블록을 이루고, 블록 단위로 삭제가 이루어진다. 이 때문에 데이터 쓰기나 삭제 시 속도의 차이를 느낄 수 있으며, 일반적으로 낸드 플래시는 대량의 데이터를 빠르게 처리할 수 있는 장점이 있어 SSD와 같은 저장장치에서 널리 사용된다. 그러나 각 셀의 전하 손실로 인해 쓰기 및 지우기 사이클 수가 제한적이며, 이로 인해 시간이 지남에 따라 성능과…(생략)