Semiconductor Device and Design - 8

1. CMOS process design rules

CMOS 공정 설계 규칙은 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 기술을 기반으로 하는 반도체 소자의 제조 과정에서 필수적으로 따라야 하는 지침들이다. 이러한 규칙들은 소자의 성능, 신뢰성, 그리고 생산성을 높이기 위해 설정되며, 서로 다른 소자들이 올바르게 동작하도록 보장한다. 규칙들은 주로 전자기기에서의 전기적 특성을 최적화하고, 소자의 물리적 크기를 최소화하며, 여러 가지 공정 변동에 대응하기 위해 마련된다. CMOS 설계에서 가장 중요한 설계 규칙 중 하나는 소자의 최소 크기와 간격을 정하는 것이다. 이는 공정 변동으로 인한 문제를 피하고, 소자를 정확하게 제작할 수 있도록 도움을 준다. 특정한 치수들이 유지되는 것이 중요하며, 이는 전압 누설과 단락을 방지하기 위한 기본적인 조건으로 작용한다. 예를 들어, 트랜지스터의 게이트 길이는 소자의 성능에 직접적인 영향을 미치므로 미세 공정 기술을 적용할 때 이러한 치수를 엄격하게 관리해야 한다. 일반적으로 게이트 길이는 최소화해야 하지만, 이에 따라 발생할 수 있는 전류 밀도의 증가나 전력 소비의 문제도 고려해야 한다. 다음으로 고려해야…(생략)