A＋ 받은 MOSFET 특성 실험(소신호증폭기) 결과레포트

실험 15. MOSFET 특성 실험[2]

1. 실험 장비 및 회로도 -실험 장비 ① 함수발생기 ② 오실로스코프 ③ 오실로스코프 프로브 ④ 브레드보드 ⑤ 저항 (Ω) ⑥ 직류 전원 장치 ⑦ MOSFET ⑧ 커패시터 ( ) -실험 회로도 [1] MOSFET 특성 실험[2] 아래와 그림 1과 같은 회로를 구성한 후, 오실로스코프를 이용하여 입력전압 및 JFET의 드레인 단의 출력전압 을 측정하여 JFET의 증폭기 동작을 확인한다.

그림 1. MOSFET 특성 실험[2] 2. 실험 방법 [1] MOSFET 특성 실험[2] 1. 그림 1의 회로도를 참고하여 브레드보드에 회로를 결선한다. 최종 결선된 회로는 아래의 그림 2와 같다. 2. 아래의 그림 3과 같이 MOSFET의 Drain 단자에 의 DC Bias를 인가한다. 3. 아래의 그림 4와 같이 4V offset을 갖는 입력 소신호 의 진폭을 , , 로 변화하며 출력 소신호 의 peak-to-peak 값을 확인한다. - 2 -

그림 2. MOSFET 특성 실험[2] 회로도

그림 3. 드레인 DC 바이어스

그림 4. 입력 소신호 의 진폭 3. 실험 결과 [1] MOSFET 특성 실험[2] ※ 단, 오실로스코프의 Ch1은 , Ch2는 이며 수평축 2ms/Div, 수직축은 각 신호의 크기에 따라 적절하게 설정하였다. 드레인 DC Bias 를 인가한 후, 4V offset을 갖는 입력 소신호의 진폭을 변화시키며 출력 소신호를 관찰하였다. 아래의 그림 5는 의 입력 소신호, 그림 6은 의 입력 소신호에 대한 입-출력 소신호를 오실로스코프로 관찰한 결과이다. 값은 오실로스코프의 measure 기능을 통해 peak-to-peak 전압 값을 확인하였다.

-…(생략)

그림 5. 에 대한 측정 결과 입력 소신호[ ] 10 50

그림 6. 에 대한 측정 결과 출력 소신호[ ] 70.8 208

그림 7. PSPICE 실험 회로도

그림 8. PSPICE 시뮬레이션 결과(좌 : , 우 : ) - 4 -

그림 9. PSPICE 시뮬레이션 결과(peak-to-peak 전압값) 입력 소신호[ ] 10 50 출력 소신호[ ] 133.499 669.444