[공학]판형 열교환기 발표

설계 결과
SUS
plate size(sus)판 규격(스테인레스 스틸)
width(m)(폭)
length(m)(길이)
B(m)(판 간격)
k(w/m²k)(열전도율)
1.00
1.00
0.005
14.90
A(m²)(총 전열면적)
S(m²)(유량 통과 단면적)
De(m)(수력 직경)
T(m)(판 두께)
33.00
0.085
0.01
0.001
　
one pass
number of plate(판수)
34.00
　
　
hot side(고온측)
cold side(저온측)
f(마찰계수)
0.83
1.22
Δp(kgf/cm²)(압력강하)
0.18
0.05
설계 결과
plate size(Ti)판 규격(티타늄)
width(m)(폭)
length(m)(길이)
B(m)(판 간격)
k(w/m²k)(열전도율)
0.90
0.90
0.006
21.90
A(m²)(총 전열면적)
S(m²)(유량 통과 단면적)
De(m)(수력 직경)
T(m)(판 두께)
19.48
0.07
0.01
0.001
　
one pass
number of plate(판수)
25.05
　
　
hot side
cold side
f(마찰계수)
0.78
1.13
Δp(kgf/cm²)(압력강하)
0.20
0.06
TI
감사합니다

N형 반도체 - 반도체에 적절한 불순물을 넣어서 N형이 되도록 하고 그러면 그안에 전자의 농도가 굉장히 높은 반도체가 된다.
P형 반도체 - 반도체에 P형을 나타내는 불순물을 넣어서 전자의 반대 개념인 홀(hole) 또는 정공의 농도도 굉장히 높은 반도체를 만든다.
이 반도체 두 개를 딱 붙여주면 한쪽은 전자가 많고 한쪽은 정공이 많은 상태 강제적으로 만나게 하면 전자와 정공이 만나 둘 사이의 에너지 차이가 빛으로 전환되는 반도체가 됨.

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