[전자재료실험] MOS Capacitor

- 목차 -

1. 실험 목적
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2. 실험 배경
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3. 실험 이론
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① Si의 특성
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② MOS Capacitor
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③ E-Beam의 구조와 증착원리
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4. 실험 방법
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5. 결과 예측
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6. 결과 분석
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① C-V 결과 분석
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② I-V 결과 분석
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p. 16
7. 결론
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p. 19
8. 참고문헌
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1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.

2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능…(생략)