MOSFET ½ÇÇè°úÁ¦ °Ë»ö°á°ú
16 °Ç (1/2 ÂÊ)
»ó¼¼Á¶°Ç 
 
ÆÄÀÏÁ¾·ù 
|
A£« ¹ÞÀº MOSFET Ư¼º ½ÇÇè(¼Ò½ÅÈ£ÁõÆø±â) °á°ú·¹Æ÷Æ® / ½ÇÇè 15. MOSFET Ư¼º ½ÇÇè[2] 1. ½ÇÇè Àåºñ ¹× ȸ·Îµµ -½ÇÇè Àåºñ ¨ç ÇÔ¼ö¹ß»ý±â ¨è ¿À½Ç·Î½ºÄÚÇÁ ¨é ¿À½Ç·Î½ºÄÚÇÁ ÇÁ·Îºê ¨ê ºê·¹µåº¸µå ¨ë ÀúÇ× (§Ù) ¨ì Á÷·ù Àü¿ø ÀåÄ¡ ¨í MOSFET ¨î Ä¿ÆнÃÅÍ () -½ÇÇè ȸ·Îµµ [1] MOSFET Ư¼º ½ÇÇè[2] ¾Æ·¡¿Í ±×¸² 1°ú °°Àº ȸ·Î¸¦ ±¸¼ºÇÑ ÈÄ, ¿À½Ç·Î½ºÄÚÇÁ¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ¿© ÀÔ·ÂÀü¾Ð ¹× JFETÀÇ µå¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
5p age   | 
800 ¿ø
|
|
|
|
|
|
12. Mosfet Current Mirror / IT½Ã½ºÅÛ¼³°è °úÁ¦ #12 12. Mosfet Current Mirror 1. °úÁ¦ ¸ñÇ¥ 1) À§ÀÇ È¸·Î´Â MOSFETÀÇ Current MirrorÀÔ´Ï´Ù. Q1°ú Q2ÀÇ SOURCE, DRAIN¿¡ È帣´Â Àü·ù¸¦ Ãâ·Â½Ã¿À. 2) À§ÀÇ È¸·Î¿¡¼ R3ÀÇ °ªÀ» 100~500À¸·Î º¯È½ÃÅ°¸é¼ Àü·ù¸¦ ÃøÁ¤ÇϽÿÀ. 3) Current Mirror ȸ·Î¸¦ »ç¿ëÇÏ´Â ÀÌÀ¯¸¦ ¼³¸íÇϽÿÀ. 2. °úÁ¦ ³»¿ë 1. MOS Current Mirror ȸ·Î ±¸¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
4p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[½ÇÇè ·¹Æ÷Æ® º¸ °í¼] ÀüÀÚȸ·Î½ÇÇè - MOSFET ÃøÁ¤°ú ÀÀ¿ë / ÀüÀÚȸ·Î½ÇÇè #5 MOSFET ÃøÁ¤°ú ÀÀ¿ë ¥° ½ÇÇè ¸ñÇ¥ NMOS¿Í PMOS Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ±âº»ÀûÀÎ ¼ºÁú°ú ±âÃÊ ÀÀ¿ëȸ·Î ½ÇÇè ¥± ºÎÇ°°ú ½ÇÇè ÀåÄ¡ ÆÐÅ°Áö¿Í ·¹À̾ƿô ¹× ³»ºÎ °á¼±ÀÌ ±×¸² 5.1 °ú °°Àº 4007 MOS¸¦ ½ÇÇèÇÑ´Ù. ±×¸²¿¡¼ ¾Ë ¼ö ÀÖµíÀÌ ¼¼ °³ÀÇ pä³Î°ú ¼¼ °³ÀÇ nä³Î ¼ÒÀÚ°¡ ³»ÀåµÇ¾î ÀÖÀ¸¸ç, ÀÔ, Ãâ·Â Çɼö¸¦ ÁÙÀ̱â À§¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
8p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[°øÇÐ,±â¼ú] ÀüÀÚ°øÇÐ ½ÇÇè - MOSFET ÁõÆøȸ·Î / MOSFET ÁõÆøȸ·Î 1. ½ÇÇè ¸ñÀû - MOS Àü°è È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ¼Ò½ÅÈ£ µ¿ÀÛ°ú µî°¡È¸·Î¸¦ ÀÌÇØÇÏ°í, °øÅë ¼Ò½º ÁõÆø±â¿Í °øÅë µå·¹ÀÎ ÁõÆø±â¸¦ ±¸¼ºÇÏ¿© ÁõÆøÇö»óÀ» °üÃøÇϸç, ÁõÆø±âÀÇ Áß¿äÇÑ Æ¯¼ºÀ» ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. ±×¸®°í µ¿ÀÛÁ¡ÀÇ À̵¿À¸·Î ÀÎÇÑ Ãâ·Â ½ÅÈ£ ÆÄÇüÀÇ º¯È¸¦ ½ÇÇèÀ¸·Î °üÂûÇÑ´Ù. 2. ½ÇÇè Çؼ³ A. ¼Ò½ÅÈ£ µ¿ÀÛ°ú ¸ðµ¨ - È°¼º¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
11p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè9°á°úº¸°í¼. MOSFET ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±â / `½ÇÇè 9. MOSFET ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±â` °á°úº¸°í¼ ¥°. ½ÇÇè ¸ñÀû 1. MOSFETÀÇ µå·¹ÀÎ(drain)Ư¼ºÀ» ½ÇÇèÀûÀ¸·Î °áÁ¤ÇÑ´Ù. 2. FET ÁõÆø±â¿¡ ´ëÇÑ ¹ÙÀ̾ ¹æ½ÄÀ» °øºÎÇÑ´Ù. 3. MOSFET ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±âÀÇ Àü¾Ð À̵æÀ» ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. ¥±. ½ÇÇè °á°ú ¹× ºÐ¼® µå·¹ÀΠƯ¼º(°ÔÀÌÆ® Á¦¾î) ½ÇÇèÀº ¾Æ·¡¿Í °°Àº ȸ·Î¸¦ ±¸¼ºÇÏ°í °ÔÀÌÆ® Àü¾Ð°¡ ¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
5p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè9¿¹ºñº¸°í¼. MOSFETÀÇ Æ¯¼º / ½ÇÇè9. MOSFETÀÇ Æ¯¼º 1.½ÇÇè¸ñÀû a.¼ÒÀÚ ¹®ÅÎ Àü¾Ð°ú ¼ÒÀÚ Àüµµµµº¯¼ö¸¦ ÃøÁ¤ÇØ º»´Ù b.MOS ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º °î¼±À» ÃøÁ¤Çغ¸°í À̸¦ ÅëÇؼ MOSÀÇ ¿©·¯ Ư¼º¿¡ ´ëÇØ ¾Ë¾Æº»´Ù 2.±âÃÊÀÌ·Ð Àü°è-È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ BJT¿Í ¸¶Âù°¡Áö·Î FET¿¡¼µµ µÎ ´ÜÀÚ»çÀÌÀÇ Àü¾ÐÀÌ Á¦ 3ÀÇ ´ÜÀÚ¿¡ È帣´Â Àü·ù¸¦ Á¦¾îÇÑ´Ù µû¶ó¼ FET´Â ÁõÆø±â³ª ½ºÀ§Ä¡·Î »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
6p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè8°á°úº¸°í¼. MOSFETÀÇ Æ¯¼º / ÀüÀÚȸ·Î ¼³°è ¹× ½ÇÇè `½ÇÇè 8. MOSFETÀÇ Æ¯¼º` °á°úº¸°í¼ 1. ½ÇÇè ¸ñÀû 1. ¼ÒÀÚ ¹®ÅÎ Àü¾Ð°ú ¼ÒÀÚ Àüµµµµ º¯¼ö¸¦ ÃøÁ¤ÇØ º»´Ù. 2. MOS ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º Ä¿ºê¸¦ ÃøÁ¤ÇØ º¸°í, À̸¦ ÅëÇؼ MOSÀÇ ¿©·¯ Ư¼º¿¡ ´ëÇØ ¾Ë¾Æº»´Ù. 2. ½ÇÇè °á°ú Ãâ·Â Ư¼º (mA) (mA) 3.5 1 0.020 3.1 10 0.007 3.5 2 0.188 3.2 10 0.036 3.5 3 0.289 3.3 10 0.118 3.5 4 0¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
3p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[ÀÚ¿¬°úÇÐ] [½ÇÇ躸°í¼] MOSFETÀÇ Æ¯¼º / MOSFETÀÇ Æ¯¼º 1. ½ÇÇè ¸ñÀû - NMOS ¼ÒÀÚÀÇ Vt ¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ°í ÃøÁ¤µÈ °ªµéÀ» ÅëÇØ K¸¦ °è»êÇÑ´Ù. - NMOS ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º°î¼±À» ÃøÁ¤ÇÏ°í À̸¦ ÅëÇØ ¥ë¿Í rc ¸¦ °è»êÇÑ´Ù. 2. ½ÇÇè °á°ú A. ¼ÒÀÚ ¹®ÅÎ Àü¾ÐÀÇ ÃøÁ¤ ÀÌ ½ÇÇè¿¡¼ ¼ÒÀÚÀÇ ¹®ÅÎ Àü¾ÐÀ» ÃøÁ¤ÇØ¾ß Çϴµ¥ ±×·¡ÇÁ¸¦ º¸¸é VTH = 2.0V ¶ó´Â °ªÀÌ µµÃâµÇ¾ú´Ù. À̷κÎÅÍ K °©À» °è»êÇغ»¡¦ |
|
ÀÚ¿¬°úÇÐ  | 
2p age   | 
800 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè10¿¹ºñº¸°í¼. ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±â / ½ÇÇè10. ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±â ½ÇÇè ¸ñÀû 1. MOSFETÀÇ µå·¹ÀÎ(drain)Ư¼ºÀ» ½ÇÇèÀûÀ¸·Î °áÁ¤ÇÑ´Ù. 2. FET ÁõÆø±â¿¡ ´ëÇÑ ¹ÙÀ̾ ¹æ½ÄÀ» °øºÎÇÑ´Ù. 3. MOSFET ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±âÀÇ Àü¾Ð À̵æÀ» ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. ±âÃÊ ÀÌ·Ð ¨ç JFET / MOSFET ¡ß JFET(Junction FET) ¢Ñ ¿ª¹æÇâ ¹ÙÀ̾ pn Á¢ÇÕÀ¸·Î ä³Î Àü·ù¸¦ Á¦¾îÇÏ´Â FET ¡ß JFET¿Í MOSFETÀÇ Â÷¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
7p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥´Â Àü°è¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ¼ÒÀÚÁß ÇϳªÀ̸ç, ±×·¡¼ ÀϹÝÀûÀ¸·Î MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconductor Field-Effect-Transistor)¶ó°í ºÒ¸°´Ù. ´ÜÀÚ¼ö¿¡¼ °°ÀÌ 3´ÜÀÚ ¼ÒÀÚÀÎ BJT¿Í´Â ´Þ¸® MOSFET¿¡¼´Â ´Ù¼öij¸®¾î¿¡ ÀÇÇØ Àü·ù°¡ Á¶ÀýµÇ¸ç, ÇϳªÀÇ Ä³¸®¾î¸¸À» ¾²°Ô µÇ¾î ´Ü±Ø¼º(unipolar) ¼ÒÀÚ¶ó°íµµ ÇÑ´Ù. ±×¸®°í MOSFETÀº Á¦¾îÀü¾Ð(Gate voltage)ÀÌ ±âÆÇÀÇ Á¾·ù°¡ p-typeÀÎ °æ¿ì¿¡´Â ¼ø¹æÇâ Àü¾Ð¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
18p age   | 
3,000 ¿ø
|
|
|
|
|