FET ½ÇÇè°úÁ¦ °Ë»ö°á°ú
16 °Ç (1/2 ÂÊ)
»ó¼¼Á¶°Ç 
 
ÆÄÀÏÁ¾·ù 
|
[ÀüÀÚȸ·Î½ÇÇè ¿¹ºñ·¹Æ÷Æ®] FET¹ÙÀ̾ ȸ·Î ¹× FET ÁõÆø±â ¿¹ºñ·¹Æ÷Æ® / Ç¥Áö ¾ç½Ä ³âµµ-Çбâ 2020 ³â2Çб⠰ú¸ñ¸í ÀüÀÚȸ·Î½ÇÇè LAB¹øÈ£ Á¦¸ñ 1 FET¹ÙÀ̾ ȸ·Î ¹× FET ÁõÆø±â ½ÇÇè ÀÏÀÚ 2020³â 10 ¿ù 21 ÀÏ Á¦ÃâÀÚ À̸§ Á¦ÃâÀÚ Çйø Chapter 1. °ü·Ã ÀÌ·Ð FET(field effect transistor)´Â Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ·Î ¸í¸íµÈ´Ù. ÀÌ ½ÇÇè¿¡¼´Â ÁÖ·Î JFET¿¡ ´ëÇؼ¸¸ Ãë±ÞÇϱâ·Î ÇÑ´Ù¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
13p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[ÀüÀÚȸ·Î½ÇÇè ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç °á°ú·¹Æ÷Æ®] FET ¹ÙÀ̾ ȸ·Î ¹× FET ÁõÆø±â Pspice °á°ú·¹Æ÷Æ® / PSpice ¸ðÀǽÇÇè - CH.5 FET ¹ÙÀ̾ ȸ·Î ¹× FETÁõÆø±â PSpice¸¦ ÅëÇØ ÁÖ¾îÁø ȸ·Î¸¦ ±¸¼ºÇÏ¿© ½Ã°£ ¿µ¿ª(°úµµ)Çؼ®À» ¼öÇàÇ϶ó. ¶ÇÇÑ, ȸ·ÎÀÇ schematic ¹× ÀÔ·ÂÀü¾Ð(), Ãâ·ÂÀü¾Ð()ÀÇ ÆÄÇüÀ» ÇØ´ç Ç¥¿¡ Æ÷ÇÔÇÏ¿© ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç °á°úÀÇ ÀûÀý¼ºÀ» º¸¿©¶ó. ÀÇ Peak to peak´Â 10 mV, freq´Â 1 k¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
5p age   | 
1,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
A+¹ÞÀº ÀüÀÚ È¸·Î ½ÇÇè FET ÁõÆø±â¿Í ½ºÀ§Äª ȸ·Î / 1.½ÇÇè ¸ñÇ¥ 2.ÀÌ·Ð 3.½ÇÇè ÀýÂ÷ ¹× °á°ú 4.°íÂû / 1ºÎ :°øÅë ¼Ò½º JFET ÁõÆø±â °øÅë ¼Ò½º ÁõÆø±âÀÇ Á÷·ù ¹× ±³·ù ÆĶó¹ÌÅ͸¦ °è»êÇÏ°í ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
9p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
[ÀÚ¿¬°úÇÐ][Àü±âÀüÀÚ½ÇÇè] FETÀÇ ½ÇÇè / ½ÇÇè 5 FET ¿ä¾à - FET°¡ °¢ Á¶°Ç¿¡ µû¶ó ¾î¶»°Ô µ¿ÀÛÇÏ´ÂÁö ¹ÙÀ̾, µ¿ÀÛÁ¡, ÁõÆø ÀÛ¿ë, ½ºÀ§Ä¡ ÀÛ¿ë »çÀÌÀÇ »ó°ü°ü°è¸¦ ÀνÄÇÑ´Ù. ¾Æ¿ï·¯ µ¿ÀÛÁ¡ÀÌ È¸·Î ¹× ¼ÒÀÚ¿Í ¾î¶»°Ô ¿¬°üµÇ¾î ÀÖ´ÂÁö ÀÌÇØÇÑ´Ù. ¥°. ½ÇÇèÀÇ Çʿ伺 ¹× ¹è°æ FETÀÇ ½ÇÇèÀ» ÅëÇÏ¿© µ¿ÀÛ¿¡ ´ëÇÑ Æ¯Â¡À» ÀÌÇØÇÔÀ¸·Î½á FET¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ÁõÆøȸ·Î, ½ºÀ§Ä¡È¸·Î¸¦ Çؼ®ÇÏ°í ±¸ÇöÇÒ¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
9p age   | 
1,800 ¿ø
|
|
|
|
|
|
±âÃÊÀüÀÚ°øÇнÇÇè 11ÁÖÂ÷ ¿¹ºñ Report - JFET Ư¼º , JFET ¹ÙÀ̾ ȸ·Î / ±âÃÊÀüÀÚ°øÇнÇÇè 11ÁÖÂ÷ ¿¹ºñ Report Á¦¸ñ JFET Ư¼º JFET ¹ÙÀ̾ ȸ·Î ½ÇÇè ¸ñÀû JFET Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Ãâ·Â Ư¼º, µå·¹ÀΠƯ¼º, ±×¸®°í Àü´Þ Ư¼ºÀ» ±¸ÇÑ´Ù. °íÁ¤ ¹ÙÀ̾, Àڱ⠹ÙÀ̾, Àü¾Ð ºÐ¹è±â ¹ÙÀ̾ JFET ȸ·Î¸¦ ºÐ¼®ÇÑ´Ù. ½ÇÇè Àåºñ 1. DMM 2. ÀúÇ× ( 100, 1 , 10 , 15 , 1) / ( 1 , 1.2 ,¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
8p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
A£«¹ÞÀº JFET¿Í ÁõÆø±â ¿¹ºñ·¹Æ÷Æ® / ½ÇÇè 14. JFET¿Í ÁõÆø±â 1. ½ÇÇè¸ñÀû (1) JFETÀÇ µå·¹ÀÎ Àü·ù ¿¡ ´ëÇÑ Drain-Source Àü¾Ð , Gate-Source Àü¾Ð ÀÇ È¿°ú¸¦ °áÁ¤ ÇÑ´Ù. (2) JFETÀÇ µå·¹ÀΠƯ¼ºÀ» ½ÇÇèÀ¸·Î ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. (3) JFETÀÇ Æ¯¼º»óÀÇ Â÷ÀÌÁ¡À» ¾Ë¾Æº»´Ù. (4) Common Source JFET ÁõÆø±âÀÇ À̵æÀ» ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. 2. ½ÇÇè ÀÌ·Ð ¾ç¹æÇâ Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â µÎ°¡Áö ÇüÅÂÀÇ Carrier(Hole, electron¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
6p age   | 
800 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè10¿¹ºñº¸°í¼. ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±â / ½ÇÇè10. ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±â ½ÇÇè ¸ñÀû 1. MOSFETÀÇ µå·¹ÀÎ(drain)Ư¼ºÀ» ½ÇÇèÀûÀ¸·Î °áÁ¤ÇÑ´Ù. 2. FET ÁõÆø±â¿¡ ´ëÇÑ ¹ÙÀ̾ ¹æ½ÄÀ» °øºÎÇÑ´Ù. 3. MOSFET ¼Ò½º °øÅë ÁõÆø±âÀÇ Àü¾Ð À̵æÀ» ÃøÁ¤ÇÑ´Ù. ±âÃÊ ÀÌ·Ð ¨ç JFET / MOSFET ¡ß JFET(Junction FET) ¢Ñ ¿ª¹æÇâ ¹ÙÀ̾ pn Á¢ÇÕÀ¸·Î ä³Î Àü·ù¸¦ Á¦¾îÇÏ´Â FET ¡ß JFET¿Í MOSFETÀÇ Â÷¡¦ |
|
°øÇбâ¼ú  | 
7p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
½ÇÇè9¿¹ºñº¸°í¼. MOSFETÀÇ Æ¯¼º / ½ÇÇè9. MOSFETÀÇ Æ¯¼º 1.½ÇÇè¸ñÀû a.¼ÒÀÚ ¹®ÅÎ Àü¾Ð°ú ¼ÒÀÚ Àüµµµµº¯¼ö¸¦ ÃøÁ¤ÇØ º»´Ù b.MOS ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º °î¼±À» ÃøÁ¤Çغ¸°í À̸¦ ÅëÇؼ MOSÀÇ ¿©·¯ Ư¼º¿¡ ´ëÇØ ¾Ë¾Æº»´Ù 2.±âÃÊÀÌ·Ð Àü°è-È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ BJT¿Í ¸¶Âù°¡Áö·Î FET¿¡¼µµ µÎ ´ÜÀÚ»çÀÌÀÇ Àü¾ÐÀÌ Á¦ 3ÀÇ ´ÜÀÚ¿¡ È帣´Â Àü·ù¸¦ Á¦¾îÇÑ´Ù µû¶ó¼ FET´Â ÁõÆø±â³ª ½ºÀ§Ä¡·Î »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ¡¦ |
|
±âŸ½ÇÇè  | 
6p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|
|
±âÃÊÀüÀÚ°øÇнÇÇè ÇØ´ç ·¹Æ÷Æ®·Î A+ 4.5 ¹Þ¾Ò½À´Ï´Ù. ½ÇÇè »çÁø, Ç®ÀÌ½Ä ¹× PSpiceÆ÷ÇÔÇÑ ÀÚ·áÀÔ´Ï´Ù. ÁÖÁ¦: Àü·ù¿ø ¹× Àü·ù ¹Ì·¯ ȸ·Î / Á¦¸ñ ½ÇÇè ¸ñÀû ½ÇÇè Àåºñ ÀÌ·Ð(PSpice Æ÷ÇÔ) Ãâó / FET(Junction Field Effect Transistor)¸¦ »ç¿ëÇÑ Àü·ù¿øÀ¸·Î, ÀÔ·Â Àü¾Ð¿¡ ÀÇÇØ Ãâ·Â Àü·ù°¡ Á¶ÀýµÇ´Â Àü·ù¿øÀÌ´Ù. - Àü¾ÐÁ¦¾î¼ÒÀÚ µå·¹ÀÎ-¼Ò½º Àü¾Ð()¿¡ µû¶ó S¹æÇâÀ¸·Î Àü·ù°¡ È帥´Ù. Àú¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
5p age   | 
2,000 ¿ø
|
|
|
|
|
|
¡¥ (27.2) ±×¸² 27- FET Â÷µ¿ ÁõÆø±â FET Â÷µ¿ ÁõÆø±â¿¡ ´ëÇÑ Â÷µ¿ Àü¾ÐÀ̵æÀÇ Å©±â´Â ´ÙÀ½ ½ÄÀ¸·Î °è»êÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. (27.3) 4. ½ÇÇè¼ø¼ 1) BJT Â÷µ¿ ÁõÆø±âÀÇ DC ¹ÙÀ̾ a. ±×¸² 27-1 ȸ·Î¿¡¼ ÇÑ °³ÀÇ Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ DC ¹ÙÀ̾ Àü¾Ð°ú Àü·ù¸¦ °è»êÇÏ ¿©¶ó. (°è»êÄ¡) ¡ë0V (°è»êÄ¡) ¡ë -0.7V (°è»êÄ¡) ¡ë 5.35V (°è»êÄ¡) ¡ë1.07m¡¦ |
|
Àü±âÀüÀÚ  | 
7p age   | 
1,500 ¿ø
|
|
|
|
|