[나노반도체실험A＋] Thin Film Transister(TFT)

1. 실험 개요

Thin Film Transistor(TFT) 실험은 현대 전자 소자의 중요한 구성 요소인 박막 트랜지스터의 특성과 동작 원리를 이해하고 연구하기 위한 실험이다. TFT는 주로 디스플레이 기술, 특히 액정 디스플레이(LCD)와 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이에서 핵심적인 역할을 한다. TFT는 전도성과 절연성 물질을 조합하여 얇은 박막 구조를 형성하고, 이를 통해 전기 신호를 제어할 수 있는 능력을 가진다. 실험을 통해 TFT의 구조, 제조 과정, 운전 원리 및 전기적 특성을 분석하게 된다. TFT의 기본 구조는 박막 반도체 층, 전극 그리고 절연층으로 구성된다. 보통 실리콘(Si)이나 비정질 실리콘(a-Si)과 같은 반도체 재료가 박막 형태로 형성되어 전극 사이에 배치된다. 이 박막 반도체는 전자나 정공을 주입 받고 이들 캐리어의 밀도를 조절하여 전자 회로를 구현하는 데 중요한 역할을 한다. TFT의 특성은 주로 반도체의 특정 물질 성질, 박막 두께, 게이트 전압 및 주변 환경에 따라 달라지며, 이러한 변수들을 조정함으로써 TFT의 성능을 최적화할 수 있다. 실험에서는 먼저 TFT를 제작하기 위한 준비 과정이 필요하다. 이는 기판 선택, 박막 형성 기술(물…(생략)