학술보고서 Growth of Si nanowires on a Si(111) by molecular beam epitaxy

1. 서론

실리콘 나노와이어(Si nanowire)는 나노기술 분야에서 중요한 연구 주제로 부각되고 있으며, 이는 전자기기, 센서, 태양 전지 및 나노 전자 소자의 잠재력 있는 응용 가능성 덕분이다. 이러한 나노와이어 구조는 극히 작은 직경과 긴 길이를 가지며, 이는 고유의 전기적, 광학적 성질을 제공하며, 이는 기존의 마이크로 규모의 실리콘 구조물과는 다른 독특한 화학적 및 물리적 특성을 가진다. 실리콘 나노와이어는 고급 전자 소자 및 광소자의 제조에 있어 새로운 전환점을 제공할 수 있는 가능성이 크기 때문에, 이들의 성장은 나노공학 연구에서 중요한 주제로 여겨진다. 실리콘(Si)은 반도체 산업의 주재료로, 그 우수한 전기 전도성 및 열적 안정성 덕분에 지속적인 연구 및 개발의 대상으로 자리 잡고 있다. 특히, Si(11 표면은 실리콘 결정에서 가장 널리 연구된 표면 중 하나로, 나노와이어 성장을 위한 유리한 기질로 작용한다. Si(11 표면은 이차원적 원자 배열을 가지고 있으며, 이는 나노와이어의 형성을 위한 양호한 표면 평탄도를 제공한다. 이러한 기질에서 발생하는 고유의 결함 및 원자 구조는 나노와이어 성장 메커니즘에 중요한 역할을 하며, 이…(생략)