pn junction 에너지밴드

1. p-n Junction의 정성적 설명

p-n 접합의 에너지 밴드 구조는 반도체 물질에서 중요한 개념이다. p-n 접합은 p형 반도체와 n형 반도체가 접합된 구조로, 두 영역의 전기적 성질이 다르기 때문에 여러 가지 전자적 특성을 나타낸다. p형 반도체는 주로 정공이라는 양성의 캐리어가 많으며, n형 반도체는 전자가 추가로 도핑되어 음성의 캐리어가 풍부하다. 이 두 가지 반도체가 접합될 때, 서로 다른 농도의 캐리어가 만나게 된다. p형 반도체의 정공과 n형 반도체의 전자가 결합하면서 결합된 지역에서 정공과 전자가 서로 소멸하게 되고, 이 과정에서 전하 재결합이 발생한다. 이 재결합 현상으로 인해 제로 중성 전하 영역이 형성되고, 이는 p-n 접합의 중요한 특징인 전기장 영역 또는 전위 장벽을 생성한다. 두 반도체의 에너지 밴드가 만나면서 에너지 밴드가 어떻게 기울어지는지가 중요한데, 이 기울어진 구조는 전자의 이동을 제어하는 역할을 한다. n형 반도체에서는 전도대의 에너지가 상대적으로 낮고, p형 반도체에서는 에너지 밴드가 더 높아지는 구조를 가지므로, p-n 접합에서의 경계에서 에너지 밴드가 기울어지면서 전자들이 n형 영역에서 p형 영역으로…(생략)