P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서

1) 장점

2) 단점
5. VLS
6. 출처
1. 실험내용

P-N 접합을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험에서는 다양한 가스의 존재에 따른 센서 반응을 평가하기 위해 여러 가지 실험 절차를 진행하였다. 실험에 사용된 센서는 일반적으로 n형 또는 p형 반도체로서, 주로 이산화 주석(SnO, 이산화 티타늄(TiO와 같은 금속 산화물로 구성된다. 이들 산화물은 가스와의 화학적 반응을 통해 전기적 특성이 변하며, 이 변화를 통해 특정 가스를 감지할 수 있다. 실험의 첫 단계는 센서 제작이다. 이 단계에서는 금속 산화물을 기판에 코팅하는 과정을 포함한다. 일반적으로 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 진공 증착과 같은 방법을 사용하여 산화물 필름을 제작한다. 제작 후, 센서를 적절한 온도로 열처리하여 결정 구조를 안정화하고, 전기적 특성을 최적화한다. 이 후, 센서는 전기적 특성을 평가하기 위해 기본적인 전기적 측정 장비에 연결된다. 실험 진행에 앞서 센서의 초기 특성을 확인하기 위해 공기 중에서의 저항을 측정하고, 센서의 동작 온도를 결정한다. 이 온도는 일반적으로 200도에서 500도 사이로 설정되며, 이온들이 활성화되는 최적 온…(생략)