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I.Introduction

I.1.Goals

I.2.Purposes of documentation

II.Summary of Theories
II.1.Transconductance parameter
II.2.Early Voltage & Channel length modulation Coefficient

II.3.Finite Output Impedance

III.Pre-lab Report
III.1. Pre-lab. 1) NMOS
III.2. Pre-lab. 2) PMOS
IV.Concluding Remarks
IV.1. The linkage between Pre-lab report & experiment
IV.2. The linkage between experiment & Post-lab report
IV.3. The linkage between Pre-lab report & Post-lab report
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I.Introduction

MOSFET(±Ý¼Ó »êÈ­¸· ¹ÝµµÃ¼ Àü°è È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ)´Â Çö´ë ÀüÀÚ±â±â¿Í ȸ·Î ¼³°è¿¡¼­ ÇÙ½ÉÀûÀÎ ¼ÒÀÚ·Î ³Î¸® »ç¿ëµÈ´Ù. MOSFETÀÇ Àü·ù-Àü¾Ð(I-V) Ư¼ºÀº ÀÌ ¼ÒÀÚÀÇ µ¿ÀÛ ¿ø¸®¸¦ ÀÌÇØÇÏ´Â µ¥ ÇʼöÀûÀ̸ç, ÀüÀÚ È¸·Î¿¡¼­ MOSFETÀÇ È°¿ë °¡´É¼ºÀ» Á¦½ÃÇÑ´Ù. MOSFET´Â Àü°è È¿°ú¸¦ ÀÌ¿ëÇØ Àü·ù¸¦ Á¦¾îÇÏ´Â ¼ÒÀÚ·Î, °ÔÀÌÆ® Àü¾Ð¿¡ µû¶ó ¼Ò½º¿Í µå·¹ÀÎ »çÀÌÀÇ Àüµµ °æ·Î°¡ Çü¼ºµÇ°Å³ª Â÷´ÜµÈ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ Æ¯¼ºÀº MOSFETÀÌ ½ºÀ§Äª ¹× ÁõÆø ¿ëµµ·Î À¯¿ëÇÏ°Ô »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù. MOSFETÀÇ I-V Ư¼ºÀ» ÀÌÇØÇÏ´Â °ÍÀº ȸ·Î ¼³°è ¹× ºÐ¼®¿¡ ÀÖ¾î Áß¿äÇÏ´Ù. MOSFETÀÇ Àü·ù´Â °ÔÀÌÆ® Àü¾Ð, µå·¹ÀÎ Àü¾Ð, ±×¸®°í ¼Ò½º¿Í µå·¹ÀÎ »çÀÌÀÇ Àü¾Ð¿¡ µû¶ó ´Þ¶óÁö¸ç, ÀÌ´Â MOSFETÀÇ µ¿ÀÛ ¸ðµåÀÎ Â÷´Ü ¸ðµå, ¼±Çü ¸ðµå, Æ÷È­ ¸ðµå·Î ±¸ºÐµÈ´Ù. °¢ ¸ðµå¿¡ µû¶ó MOSFETÀÇ Àü·ù°¡ ¾î¶»°Ô º¯ÇÏ´ÂÁö¸¦ ºÐ¼®ÇÏ´Â °ÍÀº ȸ·ÎÀÇ ¼º´É°ú È¿À²¼ºÀ» ³ôÀ̱â À§ÇØ ÇʼöÀûÀÌ´Ù. ƯÈ÷, MOSFETÀÇ I-V Ư¼ºÀ» ÀÌÇØÇÏ´Â °ÍÀº Àü·Â °ü¸® ȸ·Î, ÁõÆø±â ȸ·Î ¹× ½ºÀ§Äª ȸ·Î µî ´Ù¾çÇÑ ÀÀ¿ë ºÐ¾ß¿¡¼­ Áß¿äÇÏ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ È¸·Îµé¿¡¼­ MOSFETÀÇ ½ºÀ§Äª Ư¼ºÀÌ ¾î¶»°Ô ÀÛ¿ëÇÏ´ÂÁö¸¦ ÀÌÇØÇϸé, ȸ·ÎÀÇ ¡¦(»ý·«)


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Regist : 2024-10-12
Update : 2024-10-12
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¼­¿ï½Ã¸³´ë   ÀüÀü¼³   Á¾ÇÕµî   A£«   ¼ºÀûÁõ¸í   ÁÖÂ÷   ¿¹ºñ   MOSFET   Characteristics   ÀüÀü¼³3   Á¾ÇÕ2µî   10ÁÖÂ÷  


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