반도체, Microwave Transistors

1. Wide Bandgap Transistors

Wide Bandgap Transistors는 전자기기와 전력 변환 시스템에서 중요한 역할을 담당하는 반도체 소자이다. 이들은 주로 사이리스, 갈륨 나이트라이드(GaN), 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 넓은 밴드갭 반도체 재료로 만들어져 있다. 이러한 재료들은 높은 전압과 온도에서 더 나은 성능을 허용하며, 이는 전력 전자 기기와 고주파 응용 분야에서 이점을 제공한다. Wide Bandgap Transistors의 주요 장점 중 하나는 높은 전압과 높은 온도에서 작동 가능하다는 점이다. 이들은 Si 기반 소자보다 훨씬 높은 전압의 전력을 처리할 수 있으며, 따라서 고효율의 전력 변환이 가능하다. 예를 들어, SiC 트랜지스터는 600V에서 3kV 이상의 전압을 처리할 수 있으며, GaN 트랜지스터도 비슷한 특성을 가진다. 이로 인해 Wide Bandgap Transistors는 전기 자동차, 재생에너지 시스템, 통신 장비 등 다양한 분야에서 널리 사용되고 있다. 또한 Wide Bandgap Transistors는 높은 작동 주파수를 지원하는 특성이 있다. 실리콘 계열 반도체는 주파수가 증가할수록 스위칭 손실이 커지는 반면, Wide Bandgap 반도체는 높은 작동 주파수에서도 낮은 스위칭 손실…(생략)