반도체 - CVD, PVD

1. CVD

CVD는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)의 약자로, 반도체 제조 공정에서 널리 사용되는 기술이다. 이 과정은 기체 상태의 물질이 반응하여 고체 형태의 필름이나 층을 집적 회로의 기판 위에 정착하게 하는 방법이다. CVD의 장점은 균일한 두께와 높은 순도의 박막을 형성할 수 있다는 점이다. CVD는 여러 종류의 반도체 재료를 성장시키는 데 사용되며, 실리콘, 질화물, 산화물 및 금속화합물 같은 다양한 재료의 증착이 가능하다. CVD 과정은 여러 단계로 나뉘어 진행된다. 먼저, 증착할 기판을 준비하고 기판을 일정한 온도로 가열하여 기판 표면의 불순물을 제거한다. 그 후, 어떤 화학 기상의 반응물들을 기판 위로 주입하게 된다. 이러한 반응물은 일반적으로 기체 상태인 전구체(precursor) 물질로, 두 개 이상의 기체가 반응하여 고체 물질을 형성하는 과정이 이루어진다. 이 과정에서 기체가 기판 표면에 흡착하고, 화학 반응을 통해 고체가 형성되며, 이 고체가 원하는 물질의 필름이나 두꺼운 층으로 변환된다. CVD의 응용 분야는 다양하다. 반도체 소자의 배선에 사용되는 구리, 실리콘 다이옥사이드와 같은 절연체, 그리고 발광 다이오드(L…(생략)