논리회로실험 A＋결과보고서 2 Electrical feature of CMOS semiconductor

1) 실험 과정 및 결과

CMOS 반도체의 전기적 특성을 이해하기 위해 실험을 진행하였다. 실험은 다양한 조건 하에서 CMOS 소자의 전기적 동작을 관찰하고 분석하는 데 중점을 두었다. 실험 시작 전 CMOS 구조에 대한 이론적인 배경을 바탕으로 각 소자의 동작 원리를 숙지하였다. CMOS는 p형과 n형 반도체가 상호 연결되어 스위치처럼 동작하는 구조로, 낮은 전력 소모와 높은 집적성을 특징으로 한다. 실험 장비로는 오실로스코프, 멀티미터, 전원 공급 장치와 같은 기본 측정 도구를 사용하였다. 먼저 CMOS 소자의 기본 동작 테스트를 위해 간단한 인버터 회로를 구성하였다. 소자의 입력과 출력 전압을 조정하여 CMOS의 동작 범위를 확인하였다. 실험 과정에서 입력 전압을 변화시키며 출력 전압의 변화를 측정하였다. 이때, 입력 전압이 낮아지면(n형 트랜지스터가 OFF 상태) p형 트랜지스터가 ON 상태가 되어 출력이 HIGH 상태로 변화하였다. 반대로 입력 전압이 상승하면 p형 트랜지스터가 OFF 상태가 되고 n형 트랜지스터가 ON 상태가 되어 출력이 LOW로 변환되는 것을 확인하였다. 계속해서 DC 전압 특성을 분석하기 위해 특정 전압 범위의 입력 전압을 설정하고, 이…(생략)