[물리전자2] 과제2 단원 요약 Fabrication of pn junctions

1. Thermal Oxidation

Thermal oxidation은 반도체 제조 공정에서 중요한 과정이다. 이 과정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화 실리콘(SiO₂) 층을 형성하는 데 사용된다. 열 산화는 웨이퍼를 고온 환경에서 산소나 수증기와 함께 노출시켜 실리콘과 산소가 반응하여 SiO₂를 형성하는 기법이다. 이 과정은 반도체 소자의 전기적 특성에 큰 영향을 미치며, 전자기기에서 절연층을 제공하고, 리튬층이나 패터닝 과정 등에 필요한 마스크 역할을 한다. 열 산화는 주로 두 가지 방식으로 이루어진다. 첫 번째는 건식 산화(dry oxidation)로, 순수한 산소 가스를 사용하여 높은 온도에서 산화 반응을 진행한다. 두 번째는 습식 산화(wet oxidation)로, 수증기를 사용하여 산화 과정을 가속화시킨다. 습식 산화는 건식 산화에 비해 더 빠른 속도로 두꺼운 산화막을 형성할 수 있기 때문에 일반적으로 대량 생산 과정에서 많이 사용된다. 즉, 산화막의 두께와 특성은 산화 조건에 따라 조절할 수 있으며, 이로 인해 다양한 용도로 맞춤형 산화막을 생성할 수 있다. 열 산화의 주요 과정을 이해하기 위해서는 온도와 시간의 제어가 중요하다. 일반적으로 산화막의 두께는 산화 시간과 …(생략)