트랜지스터

아래의 격자구조의 질서로 같은 모양으로 성장하기 때문에 에피택시얼이라고 불린다. 잡음이 적으며 신뢰도도 높고 그 밖의 성능도 우수하다. 여러 개의 트랜지스터와 그들 사이의 결선을 한꺼번에 처리하면 집적회로가 된다.
• 수트랜지스터
이상의 트랜지스터들은 접합들을 가지고 있으므로 접합트랜지스터 또는 쌍극성트랜지스터라고 하지만, 이들과 동작원리가 전혀 다른 전기장효과 트랜지스터라고 하는 것이 있다. 이는 베이스에 양공이나 전자의 주입이 일어나는 것이 아니고 반도체 결정 내를 흐르는 양공이나 전자운반체의 통로를 결정 외부에 형성시킨 특수전극(게이트)에 인가시킨 입력신호 전압에 의하여 제어하게 하여 증폭작용을 가지게 한 트랜지스터이다. 또 이 밖에 트랜지스터와 흡사한 구조를 가진 2단의 pnpn다이오드나 유니정크션이라고 부르는 이중베이스다이오드 등은 음성저항을 가지고 있으므로 스위칭 작용을 할 수 있는 반도체소자이다.
• 광트랜지스터
게르마늄이나 실리콘 결정에 빛이 조사되면 그것으로 인하여 양공이나 전자가 결정 내에 발생하므로 빛의 입사는 이미터와 같은 역할을 하게 된다. 따라서 광전다이오드는 pn 접합면 가까이 또는 점접촉형에서는 접촉점 가까이에 빛을 조사시키고 있다. 이들은 원리로 보아서는 pnp 트랜지스터나 점접촉형 트랜지스터에 상당하는 것이며, 단지 빛의 에너지를 전기에너지로 변환하는 것뿐만 아니고 변환된 에너지를 트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하게 된다. 또 npn(또는 pnp) 접합트랜지스터의, 또는 점접촉형 트랜지스터의 이미터 접합부분에 빛을 집중시키는 구조의 광트랜지스터는 고증폭률을 가진 pnpn(또는 npnp) 결선 트랜지스터에 상당한다. 이러한 형은 빛을 조명하였을 때, 이에 따라 발생하는 전류가 매우 커서 빛감도는 광전관의 100배 이상 되는 것도 있다.

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