1. ¸ñÀû
±Ý¼Ó- »êȸ·-¹ÝµµÃ¼ Àü°è È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: MOSFETs)ÀÇ µå·¹ÀÎ Àü·ù¿¡ ´ëÇÑ µå·¹ÀÎ-¼Ò½ºÀü¾ÐÀÇ È¿°ú¿Í °ÔÀÌÆ®-¼Ò½º È¿°ú, µå·¹ÀÎ Àü·ù¿Í °ÔÀÌÆ®-¼Ò½º Àü¾Ð »çÀÌÀÇ °ü°è¸¦ ¾Ë¾Æº»´Ù. ½Ã¹Ä·¹À̼ǰú ½ÇÇèÀ» ÅëÇÏ¿© MOSFET¿Í JFETÀÇ Â÷À̸¦ ÀÌÇØÇϴµ¥ ±× ¸ñÀûÀÌ ÀÖ´Ù.
2. ÀÌ·Ð
FETs (Field Effect Transistor)
(1)FET ¼ÒÀÚÀÇ ±â´ÉÀº BJT¿Í ¶È°°´Ù. Ư¡À¸·Î¼´Â BJT±¸µ¿À» À§ÇÑ Àü·ù¿ø IB´ë½Å gate/source »çÀÌÀÇ VGSÀÇ Àü¾Ð ½ÅÈ£¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ´Ù. ±×¸² 3.23Àº BJT¿Í FETÀÇ switching ÀÛ¿ëÀ» ³ªÅ¸³½´Ù
(2)FET´Â ±¸Á¶¿¡ µû¶ó JFET¿Í MOSFET·Î ´ëº°µÈ´Ù.MOSFET´Â ´Ù½Ã Depletion(°¨¼ÒÇü) ¹× Enhancement(Áõ°¡Çü)·Î ±¸ºÐµÈ´Ù. ÀÌ¿Ü¿¡µµ switching ¼Óµµ¸¦ °³¼±ÇÑ VMOS ¹× ¼ÒºñÀü·Â¿¡ À¯¸®ÇÑ CMOS µîÀÌ ÀÖ´Ù.
MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFETÀÇ °ÔÀÌÆ®´Â ¸Å¿ì ÀÛ°í ¶Ù¾î³ Æ¯¼ºÀ» °®´Â Ä¿ÆнÃÅÍÀ̸ç, ä³ÎÀ» ÅëÇÑ Àüµµ´Â °ÔÀÌÆ®¿Í ¼Ò½º»çÀÌ¿¡ Àΰ¡µÈ Àü¾Ð¿¡ ÀÇÇÏ¿© Á¦¾î µÈ´Ù. ±×·¯¹Ç·Î MOSFETÀÇ ÀÔ·ÂÀü·ù´Â J-FET¿¡ ºñÇÑ´Ù¸é ÀÔ·ÂÀü·ù¿Í ´ë¸³ÀÌ µÇ´Â Ä¿ÆнÃÅÍÀÇ ¡¦(»ý·«)
|
sp; - °ÔÀÌÆ® Àü¾ÐÀÌ 0 ÀÏ ¶§ µå·¹ÀÎ-¼Ò½º Àü¾ÐÀÌ Áõ°¡Çϸé Àü·ù°¡ È帥´Ù.
- Àü·ù¸¦ ÁÙÀÏ·Á¸é °ÔÀÌÆ® Àü¾ÐÀ» +·Î Áõ°¡½ÃÄÑ¾ß ÇÑ´Ù.