[공학] 실험보고서 - 트랜지스터, 스위칭 실험

1. 목적

(1) 트랜지스터의 단자 구별 방법을 익힌다.

(2) 트랜지스터의 바이어스 방법을 숙지한다.

(3) 트랜지스터의 동작원리를 이해한다.

(4) 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 bias가 에미터-베이스 전류에 미치는 영향을 측정한다.

(5) 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 bias가 콜렉터전류에 미치는 영향을 측정한다.

2. 관련 이론

트랜지스터

(1) 트랜지스터의 구조와 동작

[1] 트랜지스터의 내부
트랜지스터는 게르마늄이나 규소(실리콘)의 단결정 소편에 불순물을 첨가한다. 불순물의 종류는 p형과 n형이 있다. pnp순서로 3층구조로
만들 때도 있는데, 각 층에서 단자(端子)를 내기 때문에 3단자의 소자이다. pnp의 경우, 왼쪽단자와 연결된 p층에서 양공(陽孔, hole:격자
질서상 있어야 할 곳에 전자가 없는 상태, 정공이라고도 함)을 중간층(베이스층)에 방출하는데, 이 방출기능으로 해서 왼쪽 부분의 이름이
이미터이며, 중간층 베이스를 통과하여 가장 오른쪽 p형 부분에서 양공들이 수집되기 때문에 가장 오른쪽 부분을 컬…(생략)

된다. 베이스층에서 전자와 결합된(극히 일부) 양공이 베이스 전류로 흐르게 되는데 작은 베이스전류로 큰 컬렉터전류를 지배할 수가 있다.

(가) 전압을 가하는 방법

(나) 전류의 흐름- IC는 IB에 의해 크게 변화- IB는 VBE에 의해 크게 변화- IC는 VCE에 의해 크게 변화 않는다.- IE〓IB+IC