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[공학]전기전자회로 실험 - BJT의 단자 특성과 바이어싱 결과

등록일 : 2013-11-28
갱신일 : 2013-11-28


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[공학]전기전자회로 실험 - BJT의 단자 특성과 바이어싱 결과
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목차

실험 목적

예비 지식

준비

기기 및 부품

실험 과정

PSPICE 실험 결과

고찰

결론 및 오차
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실험 목적
활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.

BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱(biasing) 회로를 실험을 통해 이해한다.

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예비 지식

트랜지스터는 세 개의 반도체영역, 즉 emitter영역, base영역,collector영역으로 구성되며 이와 같은 트랜지스터를 우리는 npn형과 pnp형이라 부른다.
npn형
오른쪽은 npn형 트랜지스터
의 간략화된 구조이다.
그림을 보면 트랜지스터는 두
개의 pn접합, 즉 이미터-베이
스 접합(EBJ)과 컬렉터-베이스
접합(CBJ)으로 구성된다는 것
을 알 수 있다.

pnp형
오른쪽은 pnp형 트랜지스터의 간략화된 구조이다.
npn형 구조와 같은 이미터-베이스접합과 컬렉터-베이스접합으로 구성된다는 것을 알 수 있다.

_SLIDE_4_
예비 지식
앞의 접합에 대한 각각의 바이어스 (순바이어스 또는 역바이어스)상태에 따라
서로 다른 동작 모드가 얻어진다. 예를 들어 트랜지스터를 증폭기로 사용하려
면 이를 활성모드에서 동작시켜야 하고, 스위치로 사용하려면 차단 모드와 포
화 모드 둘다에서 동작시켜야 한다.

아래의 표는 BJT의 동작 모드를 표로 작성한 것 이다.

모드
이미터-베이스 접합(EBJ)
컬렉터-베이스 접합(CBJ)
차단
역바이어스
역바이어스
활성
순바이어스
역바이어스
포화
순바이어스
순바이어스
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예비 지식
트랜지스터의 물리적 구조는, 트랜지스터가 많이 포함…(생략)
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