판형 열교환기 설계
설계에 적용한 식
설계 목적
설계 기준
목 록
설계 과정
설계 결과
설계 목적
설계 기준
hot side(고온측)
cold side(저온측)
fluid name(유체 이름)
water(물)
E.G40%(에틸렌 글리콜 40%)
Information
density,p(kg/m³)(밀도)
999.25
1xxx.00
specific heat,cp(J/kgk)(비열)
4192.00
3711.28
conductivity, (w/mk)(열전도율)
0.59
0.45
viscosity, (Ns/m²)(점성계수)
0.001294
0.004721
prandtl number, Pr(플란틀수)
9.27
38.82
Temperature in(℃)(입구 온도)
18.00
4.00
Temperature out(℃)(출구 온도)
6.00
10.00
mass flow(kg/s)(질량 유량)
8.80
3.89
volume flow(m³/h)(체적 유량)
14.00
31.20
pressure drop(allow/calc)(kgf/cm²)(압력강하)
0.5 / 0.12252
0.5 / 0.446
operationg pressure(kgf/cm²)(작동 압력)
10.00
10.00
fouling resistance(m²h℃/kcal)(오염도)
0.00
0.00
설계에 적용한 식
1. 뜨거운 물의 질량유량은 열평형식으로 계산 된다.
2. 온수와 냉수의 열용량의 비율은 다음과 같다.
3. 열효율은
설계에 적용한 식
4. NTUe의 필요값은 아래와 같다.
N개의 통로와 N-1개의 판의 단일 경로형태는 열전달계수와 면적을 계산하는데 사용된다.
5. 열전달 표면은 전체 면적은
설계에 적용한 식
6. 각 흐름을 위한 흐름 면적은
7. 그 다음 뜨거운 물의 속도는
8. 그리고
(여기서, De = 2b…(생략)
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설계 결과
SUS
plate size(sus)판 규격(스테인레스 스틸)
width(m)(폭)
length(m)(길이)
B(m)(판 간격)
k(w/m²k)(열전도율)
1.00
1.00
0.005
14.90
A(m²)(총 전열면적)
S(m²)(유량 통과 단면적)
De(m)(수력 직경)
T(m)(판 두께)
33.00
0.085
0.01
0.001
one pass
number of plate(판수)
34.00
hot side(고온측)
cold side(저온측)
f(마찰계수)
0.83
1.22
Δp(kgf/cm²)(압력강하)
0.18
0.05
설계 결과
plate size(Ti)판 규격(티타늄)
width(m)(폭)
length(m)(길이)
B(m)(판 간격)
k(w/m²k)(열전도율)
0.90
0.90
0.006
21.90
A(m²)(총 전열면적)
S(m²)(유량 통과 단면적)
De(m)(수력 직경)
T(m)(판 두께)
19.48
0.07
0.01
0.001
one pass
number of plate(판수)
25.05
hot side
cold side
f(마찰계수)
0.78
1.13
Δp(kgf/cm²)(압력강하)
0.20
0.06
TI
감사합니다
N형 반도체 - 반도체에 적절한 불순물을 넣어서 N형이 되도록 하고 그러면 그안에 전자의 농도가 굉장히 높은 반도체가 된다.
P형 반도체 - 반도체에 P형을 나타내는 불순물을 넣어서 전자의 반대 개념인 홀(hole) 또는 정공의 농도도 굉장히 높은 반도체를 만든다.
이 반도체 두 개를 딱 붙여주면 한쪽은 전자가 많고 한쪽은 정공이 많은 상태 강제적으로 만나게 하면 전자와 정공이 만나 둘 사이의 에너지 차이가 빛으로 전환되는 반도체가 됨.