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_SLIDE_1_
소재공정실험
PVD 와 CVD
PVD 와 CVD
PVD 와 CVD
Thin film Process and analysis
Thin film Process and analysis
Thin film Process and analysis
_SLIDE_2_
구 성
원리 및 종류 그리고 특징
1
PVD
원리 및 종류 그리고 특징
2
CVD
2/16
_SLIDE_3_
Thin Film Application
_SLIDE_4_
Thin Film
부피대비 표면적 비율이 높은 막을 의미하며 ㎚ ~ ㎛ 단위를 지닌다.
막
박
_SLIDE_5_
Physical Vapor Deposition
진공 중에서 금속을 기화시켜 기판에 증착.
vaporation
E
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨.
Hermal Evaporation
T
-beam Evaporation
E
_SLIDE_6_
Physical Vapor Deposition
높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해…(생략)
|
서 기상으로 증착시키는 방법.
화학적 반응 생성물질의 품질이좋고 저온,저압 에서 진행.
_SLIDE_12_
Chemical Vapor Deposition
ow Pressure CVD
L
상압보다 낮은 압력에서 기판 위에 필요 물질을 증착하는
공정에서 사용반응 gas들의 화학적 반응방법 이용.
_SLIDE_13_
Chemical Vapor Deposition
VD 종류와 특징
C
Process
Advantages
Disadvantages
Applications
APCVD
(Low Temp)
- Simple reactor
- Fast deposition
- Low temperature
- Poor step coverage
- Particle contamination
- Low temp oxides, both
doped and undoped
LPCVD
- Excellent purity & uniformity
- Conformal step coverage
- Large wafer capacity
- High temperature
- Low deposition rate
- High temp oxide
- Silicon nitride
- Poly-Si
- W, WSi2
PECVD
- Low temperature
- Fast deposition
- Good step coverage
- Chemical and particle
contamination
- PMD(pre metal dielectric)
- Passivation nitride
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