FETƯ¼º ¹× ÁõÆø±â
1. °ü·Ã ÀÌ·Ð
Àü±âÀå È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ(FET: field effect transistor)
: ´Ü±Ø(Ӥп)Æ®·£Áö½ºÅÍ ¶Ç´Â FET¶ó°íµµ ÇÑ´Ù. ¿ø¸®´Â ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¼Ò½º(source)¿¡¼ ÁýÀü±Ø(ó¢ï³Ð¿)ÀÇ µå·¹ÀÎ(drain)¿¡ È帣´Â ÀüÀÚ·ù(ï³í×µ)¸¦ °ÔÀÌÆ®(gate)¿¡ °¡ÇÑ Àü¾Ð¿¡ ÀÇÇÑ Àü±âÀåÀ¸·Î Á¦¾îÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù. Áï, ä³ÎÀÇ ÀúÇ×À» º¯È½ÃÄÑ ´Ù¼ö ij¸®¾îÀÇ È帧À» Á¦¾îÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù.
½ÇÈ¿´Ü¸éÀûÀ» º¯È½ÃÅ°´Â °Í°ú(Á¢ÇÕÇü FET) ä³Îij¸®¾îÀÇ ³óµµ¸¦ º¯È½ÃÅ°´Â ¹æ¹ý(MOS FET)À¸·Î ³ª´ ¼ö ÀÖ´Ù. W.¼îŬ·¹ÀÌ µîÀÌ Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ¹ß¸íÇÑ µ¿±â´Â FET¸¦ ¸¸µé±â À§Çؼ¿´´Âµ¥, ½ÇÁ¦·Î´Â ÇÁ¶û½ºÀÇ S.Å×Ã÷³Ê°¡ Å×Å©³×Æ®·ÐÀ¸·Î¼ ½ÇÇöÇÏ¿´´Ù. ±× ÈÄ È²ÈÄ«µå¹Å ¹Ú¸·(ÚÝد)À» »ç¿ëÇÏ´Â °Í°ú, ¶Ç ½Ç¸®ÄÜ Ç¥¸é¿¡ »êȸ·À» ¸¸µé°í ±× À§¿¡ Á¦¾î¿ë Àü±Ø(°ÔÀÌÆ®)À» ¸¸µç MOS(metal oxide semiconductor)ÇüÀÌ ¸¸µé¾îÁ®¼ ´ë±Ô¸ð ÁýÀûȸ·Î°¡ Á¦À۵Ǿú´Ù. ±×·¡¼ Ãʱ⿡´Â °¢º¯ÀÌ 5 mm Á¤µµÀÇ ¿þÀÌÆÛ¿¡ ¼ö¹é °³ÀÇ FET¸¦ Çü¼ºÇÒ ¼ö ÀÖ¾úÀ¸¸ç, Á¡Â÷ ÁýÀûµµ°¡ ³ô¾ÆÁ® °¬´Ù.
- FETÀÇ Á¾·ù
¨ç FET´Â Á¢ÇÕÇü°ú Àý¿¬ °ÔÀÌÆ®Çü(MOSÇü)ÀÌ ÀÖ°í, ´Ù½Ã °¢°¢ nä³ÎÇü°ú pä³ÎÇüÀ¸·Î ³ª´«´Ù.
¨è Àü±Ø¸íÀº µå·¹ÀÎ(D:drain), ¼Ò½º(S:source) ¹× °ÔÀÌÆ®(G:gate)·Î 3´ÜÀÚÀÌ´Ù.
-¡¦(»ý·«)
2. FET ³»ºÎ¿¡¼ÀÇ ÀüÀÚ ¿òÁ÷ÀÓ
¨ç °øÇÌÃþ(depletion layer) : pnÁ¢Çո鿡´Â ¿ªÀü¾ÐÀÌ °¡ÇØÁ® ÀÖÀ¸¹Ç·Î Á¢ÇÕ¸é °¡±îÀÌÀÇ ÀÚÀ¯ ÀüÀÚ°¡ ¾ø´Â ¿µ¿ª.
¨è ä³Î(channel) : nÇü ¹ÝµµÃ¼ ³»¿¡¼ °øÇÌÃþÀ» Á¦¿ÜÇÑ ¿µ¿ªÀº VDS¿¡ ÀÇÇØ ÀÚÀ¯ ÀüÀÚ°¡ À̵¿ÇÏ´Â ¿µ¿ª.
¨é VGS¸¦ °¡ÇÒ °æ¿ì : VGS¡ë0[V]ÀÏ ¶§´Â °øÇÌÃþÀº VDS¿¡ ÀÇÇÑ °ÍÀ̾úÁö¸¸, VGS¸¦ Áõ°¡½ÃÅ°¸é ±× Àü¾ÐÀÌ ¿ª¹æÇâ Àü¾ÐÀ̹ǷÎ, VGS¡ë0[V}ÀÏ ¶§º¸´Ù °øÇÌÃþÀÌ ³Ð¾îÁ® °°Àº VDSÀÏÁö¶óµµ ID´Â ÀÛ¾ÆÁø´Ù.
¨ç °¨¼ÒÇü : Àý¿¬ °ÔÀÌÆ®Çü(MOSÇü)FET´Â °ÔÀÌÆ® Àü¾Ð VGS°¡ °¡ÇØÁü¿¡ µû¶ó ¹Ì¸® Çü¼ºµÈ ä³ÎÀ» Á¼Çô¼ µå·¹ÀÎ Àü·ù ID¸¦ °¨¼Ò½ÃÅ°´Â Ư¼ºÀ» °¡Áö°í ÀÖÀ¸¹Ç·Î °¨¼ÒÇüÀ̶ó ÇÑ´Ù.
¨è Áõ°¡Çü : VGS¸¦ °¡ÇÏÁö ¾Ê¾ÒÀ» ¶§´Â ä³ÎÀÌ Çü¼ºµÇÁö ¾Ê°í, VGS¸¦ °¡ÇÔÀ¸·Î½á ä³ÎÀÌ Çü¼ºµÇ°Ô ÇÏ¿©, VGS¸¦ Å©°Ô ÇÔ¿¡ µû¶ó ä³ÎÀÌ ³Ð¾îÁ® ID°¡ Áõ°¡Çϵµ·Ï ¸¸µç °ÍÀ» Áõ°¡ÇüÀ̶ó ÇÑ´Ù.
|