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반도체공학 (반도체 물성과 소자) 3판 솔루션 (저자 Donald A. Neamen Semiconductor Physics and Devices (Mcgrawhill))

등록일 : 2012-01-10
갱신일 : 2012-01-10


  [솔루션] 반도체공학(반도체 물성과 소자) 3판 ( 저자 -Donald A. Neamen - Semiconductor Physics and Devices(Mcgrawhill)).pdf   [size : 1,800 Kbyte]
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[솔루션] 반도체공학(반도체 물성과 소자) 3판 ( 저자 -Donald A. Neamen - Semiconductor Physics and Devices(Mcgrawhill)) 솔루션 입니다.


총 1장부터 15장까지의 솔루션으로 구성되어 있습니다.

공부 할 때 정말 도움이 많이 됬던 자료 입니다. 예습할때나, 복습할때나 그리고 시험기간에 특히 꼭 필요한 자료입니다..^^

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공부 할 때 정말 도움이 많이 됬던 자료 입니다. 예습할때나, 복습할때나 그리고 시험기간에 특히 꼭 필요한 자료입니다..^^

Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 3rd edition Solutions Manual

Chapter 1 Problem Solutions

Chapter 1
Problem Solutions
1.1 (a) fcc: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 6 face atoms × ½ = 3 atoms Total of 4 atoms per unit cell (b) bcc: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 1 enclosed atom = 1 atom Total of 2 atoms per unit cell (c) Diamond: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 6 face atoms × ½ = 3 atoms 4 enclosed atoms = 4 atoms Total of 8 atoms per unit cell 1.2 (a) 4 Ga atoms per unit cell Density = 4 atoms per cell, so atom vol. = 4 Then 4 Ratio =

FG 4πr IJ H3K
3

16 2 r (c) Body-centered cubic lattice 4 d = 4r = a 3 ⇒ a = r 3 Unit cell vol. = a =
3

FG 4πr IJ H 3…(생략)

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